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(a) 기판 상부의 소정 영역에 금속 패드를 형성한 후 상기 금속 패드의 소정 영역이 노출되도록 전체 상부에 보호층을 형성하는 단계;(b) 상기 결과물의 상부에 요망하는 골드 범프의 패턴을 가지는 포토 레지스트층을 형성하는 단계; (c) 상기 결과물의 전체 상부에 씨드 금속층을 형성하는 단계;(d) 상기 씨드 금속층의 상부에 골드 범프를 형성하는 단계;(e) 상기 포토 레지스트층의 일부가 노출되도록 상대적으로 두께가 얇은 부분에 형성된 골프범프와 상기 씨드 금속층을 제거하는 단계; 및(f) 상기 금속 패드 상측의 요망하지 않는 영역에 형성된 골드 범프과 씨드 금속층 및 상기 포토 레지스트층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서 상기 씨드 금속층은 상기 포토 레지스층이 제거된 부분의 상부와 상기 제거된 부분 이외의 포토 레지스트층 상부 및 측벽 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서 상기 씨드 금속층은 스퍼터링 방법을 통하여 상온에서 증착한 금(Au) 박막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(e)에서 상기 포토 레지스트층의 일부가 노출되도록 상대적으로 두께가 얇은 부분에 형성된 골드 범프와 상기 씨드 금속층은 왕수를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(f)에서 상기 접착층이 노출되도록 상기 금속 패드의 상측에 형성된 골드 범프 이외에 형성된 골드 범프, 상기 씨드 금속층 및 상기 포토 레지스트층은 포토 레지스트 제거액으로 리프트 오프(lift-off)를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)는,(b-1) 노출된 상기 금속 패드 및 상기 보호층의 상부에 소정 두께의 확산 방지층, 접착층 및 포토 레지스트층을 순차적으로 형성하는 단계; 및(b-2) 상기 확산 방지층의 소정 영역이 노출되도록 상기 포토 레지스트층 및 상기 접착층을 순차적으로 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 단계(f) 이후,노출된 상기 접착층과 상기 확산 방지층을 순차적으로 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어진 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 확산 방지층은 반투명 금속박막(TiW)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 접착층은 SiOXNY 또는 TiN 박막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 단계(b-2)에서 상기 접착층은 과산화수소 용액을 이용하여 습식 식각법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 골드 범프 제조방법
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