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화합물반도체소자의캐패시터제조방법

  • 기술번호 : KST2015088545
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로서, 전하저장전극이 되는 제 1전도층 패턴을 노출시키는 오버행 구조를 갖는 감광막 패턴을 형성하고, 상기 구조의 전표면에 저온에서 ECR플라즈마 증착법을 사용하여 Ta2O5로 된 유전막을 증착하여, 감광막 패턴의 상부와 제 1전도층 패턴의 표면에 형성하고, 상기 감광막 패턴을 리프트-오프 방법으로 제거하여 그 상측에 유전막도 함께 제거하도록 한다.그러므로, 기판에서 캐패시터로 예정된 부분에만 고유전율의 유전막이 형성되므로 유전막 패턴닝 공정이 불필요하여 기판의 손상이 방지되어 소자의 동작 특성이 향상되고, 고유전율의 유전막을 사용함으로 캐패시터의 크기를 감소시킬 수 있어 소자의 고집적화에 유리하다.
Int. CL H01L 21/822 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01)
출원번호/일자 1019950040291 (1995.11.08)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0030769 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시서구
3 송기문 대한민국 서울특별시시초구
4 박문평 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160123-21
2 특허출원서
Patent Application
1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160122-86
3 출원심사청구서
Request for Examination
1995.11.08 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160124-77
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160125-12
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160126-68
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1998.04.06 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160127-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0084789-39
8 의견서
Written Opinion
1998.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160129-05
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0160128-59
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1998.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0478084-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
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2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
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2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
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2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
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2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
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2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
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2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
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2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화합물 반도체 기판의 일측에 소자분리 영역을 형성하는 공정과, 상기 소자분리 영역 상에 제 1도전층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제 1도전층 패턴을 노출시키는 오버행을 갖는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 구조의전표면에 탄탈륨산화막(Ta2O5)으로 된 유전막을 ECR플라즈마 증착방법으로 형성하여 상기 제 1도전층 패턴의 표면과 상기 감광막 패턴의 상측을 덮도록 하는 공정과, 상기 감광막 패턴과 그 상측의 유전막을 리프트-오프방법으로 제거하는 공정과, 상기 유전막의 표면에 제 2도전층 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 화합물 반도체 소자의 캐패시터 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2도전층 패턴을 Al, Ti, Cr, Ta,W 및 이들 금속의 합금들로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 도전물질로 형성되는 것을 화합물 반도체 소자의 캐패시터 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 유전막 형성을 위한 공정을 Ta(C2H5O)5와 O₂혹은 N2O를 반응개스로 사용하여 2

4 4

제 1항에 있어서, 상기 유전막 형성공정을 상온에서 실시하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 캐패시터 제조방법

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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.