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3중-웰 저전압 트리거 ＥＳＤ 보호 소자

  • 기술번호 : KST2015081451
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자부품 및 제품의 생산과정이나 사용 중에 생긴 정전기가 순간적으로 방전되어 집적회로 내부 소자 및 금속 배선의 파괴를 초래하는 정전기 방전(ESD: Electro-Static Discharge) 현상은 집적회로 설계분야에 있어 매우 중요한 고려대상이 되고 있다.특히 반도체 제조 공정기술이 DSM(Deep Sub-Micron)급에서 VDSM(Very Deep Sub-Micron)급으로 발전함에 따라 게이트 산화막의 두께는 0.1㎛ 이하로 얇아지고, 반도체 칩의 소형화가 이루어지면서 ESD에 의한 소자파괴 현상은 더욱 심각해지고 있다. 그러므로, 빠른 방전 속도(speed), 정상동작 상태에서의 투명성 (transparency), 충분한 방전 전류의 감내(robustness), 그리고 낮은 트리거 전압 특성(effectiveness) 등과 같은 여러 ESD 성능지표를 만족하는 보호소자의 개발 및 회로설계가 매우 중요하다 할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 나노소자기반 고속 입출력 (I/O interface) 회로 및 낮은 전원전압 특성을 갖는 반도체 칩에 적용 가능한 SCR(Silicon Controlled Rectifier)구조의 새로운 ESD 보호 소자를 제안하고, 그 제작방법에 대하여 기술하였다.본 발명의 3중-웰 저전압 트리거 ESD 보호 소자는, p형-기판 상에 형성된 딥 n형-웰; 상기 딥 n형-웰의 내부에 서로 접하도록 형성된 n형-웰 및 p형-웰; 및 상기 p형-웰에 직접 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 인가 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.ESD 보호, 트리거 전압, SCR, 3중-웰, LVTSCR, VDSM
Int. CL H01L 27/04 (2011.01)
CPC H01L 27/0259(2013.01) H01L 27/0259(2013.01) H01L 27/0259(2013.01)
출원번호/일자 1020060076773 (2006.08.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0877154-0000 (2008.12.26)
공개번호/일자 10-2007-0061264 (2007.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20090107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050119535   |   2005.12.08
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김귀동 대한민국 대전 대덕구
2 권종기 대한민국 대전 서구
3 김종대 대한민국 대전 서구
4 구용서 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0579307-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0027154-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0364015-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0601838-63
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0601845-83
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0691965-32
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0117299-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0117291-58
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0332569-24
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0500742-22
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0500713-19
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0638577-88
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형-기판상에 형성된 딥 n형-웰;상기 딥 n형-웰의 내부에 서로 접하도록 형성된 n형-웰 및 p형-웰;상기 p형-웰에 직접 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 인가 영역;상기 n형-웰 내부에 형성되는 p+ 확산 영역; 및상기 p형-웰 내부에 형성되는 n+ 확산 영역을 포함하는 ESD 보호 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 바이어스 인가 영역은, 상기 n형-웰 및 p형-웰의 접합면에 형성되는 p+ 확산 영역인 것을 특징으로 하는 ESD 보호 소자
3 3
삭제
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 n형-웰 내부에 형성되는 상기 p+ 확산 영역은 I/O 패드에 연결되며,상기 p형-웰 내부에 형성되는 상기 n+ 확산 영역은 접지단에 연결되며,상기 바이어스 인가 영역에는 외부 RC 네트워크의 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 ESD 보호 소자
5 5
n형 기판상에 형성된 딥 p형-웰;상기 딥 p형-웰의 내부에 서로 접하도록 형성된 n형-웰 및 p형-웰;상기 n형-웰에 직접 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 인가 영역;상기 n형-웰 내부에 형성되는 p+ 확산 영역; 및상기 p형-웰 내부에 형성되는 n+ 확산 영역을 포함하는 ESD 보호 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 바이어스 인가 영역은, 상기 n형-웰 및 p형-웰의 접합면에 형성되는 n+ 확산 영역인 것을 특징으로 하는 ESD 보호 소자
7 7
삭제
8 8
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 p형-웰 내부에 형성되는 상기 n+ 확산 영역은 I/O 패드에 연결되며,상기 n형-웰 내부에 형성되는 상기 p+ 확산 영역은 접지단에 연결되며,상기 바이어스 인가 영역에는 외부 RC 네트워크의 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 ESD 보호 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20070131965 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007131965 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.