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반도체 소자;상기 반도체 소자에 인접하여, 상기 반도체 소자에서 발생되는 열에 비례하여 증가되는 저항을 갖는 금속저항 소자; 및상기 반도체 소자와 상기 금속저항 소자를 직렬로 연결하고, 상기 금속저항 소자보다 낮은 저항을 갖는 배선을 포함하고,상기 금속저항 소자는 0
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청구항 1에 있어서,상기 금속저항 소자의 저항은 0
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청구항 1에 있어서,상기 금속저항 소자는 금속 산화물 전이소자 또는 금속 도선인 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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청구항 3에 있어서,상기 금속 산화물 전이소자는,VO2, W-doped VO2, Mn-doped VO2, Cr-doped VO2, V2O3, MnO2, CrO2, TiO2, ZnO, YBa2Cu3O7, n형-BaTiO3, Sr1-xLaxTiO3 (0
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청구항 3에 있어서,상기 금속 도선은,은, 동, 금, 알루미늄, 칼슘, 텅스텐, 아연, 니켈, 철, 백금, 주석, 납, 인듐, 망간, 코발트, 몰리브덴, 티타늄, 바나듐, 크롬, 바륨, 란탄, 세륨, TiNi, TiW, NiV, 또는 이들의 조합을 포함하는 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 소자는, 불순물 반도체, pn 접합 다이오드, pn 접합 발광 다이오드, 또는 전계효과 트랜지스터를 포함하는 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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삭제
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청구항 6에 있어서,상기 금속저항 소자는 상기 전계효과 트랜지스터의 소오스 또는 드레인에 연결되는 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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청구항 6에 있어서,상기 반도체 소자는, 제 1 바이폴라 트랜지스터, 및 제 2 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 1 바이폴라 트랜지트터의 베이스는 상기 저항소자를 경유하여 상기 제 2 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 연결되고, 상기 제 1 바이폴라 트랜지스터 및 상기 제 2 바이폴라 트랜지스터의 에미터들은 서로 연결되는 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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청구항 9에 있어서,상기 제 1 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터에 연결되는 발광 다이오드를 더 포함하는 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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청구항 9에 있어서,상기 제 1 바이폴라 트랜지스터 및 상기 제 2 바이폴라 트랜지스터의 에미터들은 접지되는 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 소자, 상기 금속저항 소자, 및 상기 배선은 하나의 패키지에 일체로 제공되는 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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청구항 1에 있어서,상기 금속저항 소자는,기판 상에, 온도에 따라 저항이 변하는 금속 저항막;서로 이격되고, 상기 금속 저항막의 양쪽 가장자리들에 각각 연결된 제 1 및 제 2 전극들; 및상기 금속 저항막과 상기 전극들 덮는 절연막을 포함하는 것을 포함하는 금속-반도체 융합 전자 회로 장치
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청구항 1의 금속-반도체 융합 전자 회로 장치가 복수 개로 직렬 또는 병렬로 연결된 전자회로 시스템
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청구항 14에 있어서,상기 반도체 소자들은 발광 다이오드들인 전자회로 시스템
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