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산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015089242
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 패턴화된 산화아연 나노선의 제작방법은 포토레지스트의 현상과 산화아연 시드층의 식각을 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(Tetramethyl ammonium hydroxide) 수용액을 사용하여 연속적으로 진행할 수 있다. 따라서 용액의 교환이 필요 없고, 공정 단계를 줄일 수 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2012.01.19) G03F 7/20 (2012.01.19)
CPC
출원번호/일자 1020110133023 (2011.12.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0066268 (2013.06.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용희 대한민국 대전광역시 서구
2 백남섭 대한민국 대전광역시 유성구
3 정상돈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0985610-94
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0362937-52
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033722-29
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 산화아연 시드층을 형성하는 단계;상기 시드층 상에 포토레지스트층를 형성하는 단계;상기 포토레지스트층을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 포토레지스트층을 사용하여 상기 산화아연 시드층을 식각하고 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 산화아연 시드층 상의 상기 포토레지스트층를 제거하는 단계; 및상기 패터닝된 산화아연 시드층 상에 산화아연 나노선을 성장시키는 단계를 포함하되,상기 포토레지스트을 패터닝하는 단계와 상기 산화아연 시드층을 패터닝하는 단계는 연속적으로 진행되는 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 포토레지스트을 패터닝하는 단계와 상기 산화아연 시드층을 패터닝하는 단계는, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 수용액을 사용하여 연속적으로 진행되는 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 수용액의 농도는 1 내지 3%인 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 산화아연 시드층의 두께는 300Å 내지 1μm인 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 산화아연 시드층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 에탄올, 2-메톡시에탄올, 및 징크 아세테이트의 혼합용액을 스핀 코팅하는 것을 포함하는 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층인 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 패터닝된 산화아연 시드층 상에 산화아연 나노선을 성장시키는 단계는, 수열합성법, 화학기상 증착법 및 물리기상 증착법 중 하나로 수행되는 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 수열합성법은 상기 패터닝된 산화아연 시드층이 징크 니트레이트와 헥사메틸렌테트라민의 혼합용액과 반응하는 과정을 포함하는 산화아연 나노선의 패턴화된 성장 방법
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1 US20130149844 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2013149844 US 미국 DOCDBFAMILY
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