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금속 산화물 나노선을 이용한 신경 전극 어레이의 표면처리방법 및 산화아연 나노선을 이용한 신경 전극 어레이의 표면처리방법.

  • 기술번호 : KST2015089316
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 나노선을 이용한 신경 전극 어레이의 표면형성방법으로, 더욱 상세하게는 신경세포의 안정적 성장을 위한 산화아연 나노선을 이용한 신경 전극 어레이에 관한 것이다. 안정적으로 신경세포를 형성하기 위하여 산화아연 나노선을 이용하여 거칠기를 갖게 하고, 상기 산화아연 나노선 위에 신경세포 접착물질 형성하는 신경 전극 어레이의 표면처리방법 및 그 표면처리 방법에 의해 제조된 신경 전극 어레이를 제공하는데 있다.
Int. CL B82Y 5/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) A61B 5/0478 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01)
출원번호/일자 1020110130324 (2011.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0063777 (2013.06.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용희 대한민국 대전광역시 서구
2 백남섭 대한민국 대전광역시 유성구
3 정명애 대한민국 대전광역시 유성구
4 정상돈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0972323-91
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0036857-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0967850-61
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0967847-23
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0043943-80
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0002844-91
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0294636-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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신경전극 어레이를 준비하는 단계;상기 신경전극 어레이 상에 금속 씨드층을 형성하는 단계;상기 금속 씨드층을 식각하는 단계;상기 식각 단계에서 제거되지 않은 상기 금속 씨드층 상에 산화아연 나노선을 성장하는 단계; 및상기 산화아연 나노선 상에 신경세포 접착물질을 형성하는 단계를 포함하는 산화아연 나노선을 이용한 신경 전극 어레이의 표면형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.