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기판;상기 기판의 양측들 상에 배치된 복수개의 전극들; 및상기 복수개의 전극들을 연결하고, 불순물로 도핑된 나노입자 층을 포함하되,상기 나노입자 층은 상기 불순물에 의해 상기 복수개의 전극들간에 인가되는 일정 바이어스 전압에서 전류 피크가 나타나는 공명 터널링 현상을 갖는 다이오드로 사용되는 터널링 소자
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제 1 항에 있어서,상기 나노입자 층은 막대 나노입자들, 또는 판형 나노입자들을 포함하는 터널링 소자
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제 2 항에 있어서,상기 나노입자 층은 실리콘을 포함하는 터널링 소자
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제 3 항에 있어서,상기 불순물은 질소, 보론, 인, 아세닉, 또는 수소 중 적어도 하나를 포함하는 터널링 소자
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제 1 항에 있어서,상기 나노입자 층 아래 또는 위에 형성된 절연막과, 상기 복수개의 전극들 사이의 상기 절연막 아래 또는 위에 형성된 게이트 전극을 더 포함하는 터널링 소자
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나노입자들을 포함하는 나노입자 용액을 준비하는 단계: 및상기 나노입자 용액으로 기판, 또는 상기 기판의 양측들 상의 복수개의 전극들을 연결하는 나노입자 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 나노입자 층은, 상기 복수개의 전극들 사이에 인가되는 일정 바이어스 전압에서 전류 피크가 나타나는 공명 터널링 현상을 갖도록, 불순물이 도핑되는 터널링 소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 불순물은 상기 나노입자 층에 이온주입되는 터널링 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 불순물은 인을 포함하고, 상기 인은 수소와 수소화 인을 포함하는 이온주입 소스가스에 의해 상기 나노입자 층에 이온주입되는 터널링 소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 나노입자 용액의 준비 단계는:분쇄대상 물질을 기계적으로 분쇄하여 1차 입자를 형성하는 단계;상기 1차 입자를 식각용액으로 식각하여 2차 입자를 포함하는 중간 용액을 형성하는 단계;상기 중간 용액을 원심 분리공정으로 부유물을 제거하여 정제 용액을 형성하는 단계; 그리고상기 정제 용액을 분산용매에 희석하는 단계를 포함하는 터널링 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 식각용액은 질산, 불산 및 물을 포함하는 터널링 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 질산, 불산 및 물의 질량비는 50:5:50인 터널링 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 분산용매는 이소프로필 알코올(Isopropyl Alcohol: IPA) 또는 메탄올을 포함하는 터널링 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 분쇄대상 물질은 실리콘을 포함하는 터널링 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 정제 용액 내에 불순물을 투입하고, 상기 정제 용액 내의 나노입자들을 상기 불순물로 도핑하는 단계를 더 포함하는 터널링 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 분쇄대상 물질을 불순물로 도핑하는 단계를 더 포함하는 터널링 소자의 제조방법
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