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대면적 그라핀 기판 및 그라핀 소자의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015089361
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대면적의 그라핀 기판 및 그라핀 소자의 형성 방법에 관한 것이다. 이 대면적 그라핀은 기판상의 촉매층 과 그라핀을 형성하고 촉매층과 그라핀의 분리 없이 하부의 촉매층을 제거하여, 그라핀은 최초의 기판에 흡착된다. 이로써, 공정을 단순하게 하고 안정적으로 대면적의 그라핀 기판 및 그라핀 소자를 형성할 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01)
CPC C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01)
출원번호/일자 1020110103962 (2011.10.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0042655 (2012.05.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100103579   |   2010.10.22
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박건식 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0796166-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 단계;상기 촉매층 상에 그라핀(graphene)을 형성하는 단계; 상기 촉매층을 선택적으로 제거하는 단계; 및상기 그라핀은 상기 기판상에 침강 내지 흡착되는 단계를 포함하는 대면적 그라핀 기판 및 그라핀 소자의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.