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태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015089503
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지의 제조방법이 제공된다. 태양전지의 제조방법은 기판 상에 요철을 갖는 제 1 전극 층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극 층의 상기 요철을 따라 저농도의 p 타입 도전성을 갖는 산화 제 2 구리(CuO) 층을 형성하는 단계와, 상기 산화 제 2 구리 층 상에 구리 층을 형성하는 단계와, 상기 산화 제 2 구리 층이 노출될 때까지 상기 구리 층을 평탄화하고, 상기 구리 층을 열산화시켜 상기 요철 내에 상기 산화 제 2 구리 층보다 높은 고농도의 p 타입 도전성으로 과잉 도핑된 산화 제 1 구리(Cu2O) 층을 형성하는 단계와, 상기 산화 제 1 구리 층 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계와, 상기 광 흡수 층 상에 n 타입의 도전성을 갖는 산화물 반도체 층을 형성하는 단계와, 상기 산화물 반도체 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110075565 (2011.07.29)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0013773 (2013.02.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.05)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)
4 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교 산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0587041-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0316554-05
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0325968-04
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0325965-67
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0759568-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1255172-26
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1255195-76
10 등록결정서
Decision to grant
2016.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0940024-80
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번호 청구항
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기판 상에 요철을 갖는 제 1 전극 층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 층의 상기 요철을 따라 저농도의 p 타입 도전성을 갖는 산화 제 2 구리(CuO) 층을 형성하는 단계;상기 산화 제 2 구리 층 상에 구리 층을 형성하는 단계;상기 산화 제 2 구리 층이 노출될 때까지 상기 구리 층을 평탄화한 후에, 상기 산화 제 2 구리 층의 요철 내에 잔존하는 상기 구리 층을 열산화시켜 상기 산화 제 2 구리 층보다 높은 고농도의 p 타입 도전성으로 과잉 도핑된 산화 제 1 구리(Cu2O) 층을 형성하는 단계;상기 산화 제 1 구리 층을 형성하는 단계에서 노출된 상기 산화 제 2 구리 층 및 상기 산화 제 1 구리 층 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계;상기 광 흡수 층 상에 n 타입의 도전성을 갖는 산화물 반도체 층을 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.