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각 면이 금속도체로 형성된 다면체인 전자파 잔향실에 있어서,상기 전자파 잔향실의 적어도 하나 이상의 금속도체 평면에 전자파 흡수장치가 설치되고,상기 전자파 흡수장치는, 롤 스크린 형태로 제작된 전자파 흡수 구조의 전자파 저지대 패턴층을 포함하고, 상기 전자파 잔향실의 적어도 하나 이상의 금속도체 평면 위에 설치되어 흡수 면적이 조절되는 것을 특징으로 하는 전자파 잔향실
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제 1 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는,전자파 흡수체 필름과, 상기 전자파 흡수체 필름의 한쪽 끝단을 감는 롤과, 상기 롤을 덮는 덮개와, 상기 전자파 흡수체 필름의 다른 한쪽 끝단을 고정 시키는 고정 장치를 포함하는 전자파 잔향실
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제 2 항에 있어서,기 설정된 동일 길이의 상기 롤, 덮개 및 고정 장치를 갖는 상기 전자파 흡수 장치가 상기 전자파 잔향실의 적어도 하나 이상의 금속 도체 벽면에 적어도 하나 이상 설치되는 것을 특징으로 하는 전자파 잔향실
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제 2 항에 있어서,상기 전자파 흡수체 필름은,상기 전자파 저지대 패턴층을 투명 필름에 스크린 프린트 방식으로 인쇄한 전자파 잔향실
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제 4 항에 있어서,상기 투명 필름은,PET(Poly Ethylene Terephthalate)로 형성하는 전자파 잔향실
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제 1 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는, 복수의 단위셀이 주기적으로 배열되고,상기 단위셀은, 금속 도체층과, 상기 금속 도체층 위에 형성된 유전체층과, 상기 유전체층 위에 저항성 재질로 형성된 단위셀 패턴을 포함하는전자파 잔향실
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제 1 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는, 복수의 단위셀이 주기적으로 배열되고,상기 단위셀은, 금속 도체층과, 상기 금속 도체층 위에 형성된 유전체층과, 상기 유전체층 위에 금속 재질로 형성된 단위셀 패턴과, 상기 단위셀 패턴 위에 형성된 저항 피막을 포함하는전자파 잔향실
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 단위셀 패턴은, 다각형, 원형 또는 루프형 중에서 적어도 하나 이상의 형태를 포함하는전자파 잔향실
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제 6 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는, 주기적으로 배열되어 서로 인접한 상기 단위셀의 상기 단위셀 패턴이 서로 다른 표면 저항 값을 가지는전자파 잔향실
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제 6 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는, 상기 단위셀을 주기적으로 배열할 때에 서로 인접한 상기 단위셀 패턴의 구조 또는 표면 저항 값 중에서 적어도 하나 이상이 서로 다르게 배치되도록 교대로 배치한전자파 잔향실
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제 6 항에 있어서,상기 단위셀 패턴은, 정사각형에서 각 변 중앙이 직사각형 모양으로 패인 형태로 중앙에 위치하는 기본 패치와,일정한 각도에 의해 상기 기본 패치의 상측, 하측, 좌측 및 우측의 각 중앙에 일정 간격을 두고 상기 기본 패치와 맞물려 배치된 반 직교다이폴 패치를 포함하는전자파 잔향실
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12
제 11 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는, 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 전기적 길이를 결정하는 구조 파라미터, 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 간격, 상기 금속 도체층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이, 상기 유전체층의 재료 특성, 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값 중에서 적어도 하나 이상을 조절하여 공진 주파수 및 대역폭을 조절하는전자파 잔향실
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13
제 11 항에 있어서,상기 기본 패치는, 중앙에 정사각형 구조의 제 1 슬롯이 형성된전자파 잔향실
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14
제 13 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는, 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 전기적 길이를 결정하는 구조 파라미터, 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 간격, 상기 금속 도체층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이, 상기 유전체층의 재료 특성, 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값, 상기 제 1 슬롯의 크기 중에서 적어도 하나 이상을 조절하여 공진 주파수 및 대역폭을 조절하는전자파 잔향실
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15
제 13 항에 있어서,상기 기본 패치는, 상기 제 1 슬롯의 각 모서리에 길이가 일정한 정사각형 구조의 제 2 슬롯이 형성된전자파 잔향실
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제 15 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는, 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 전기적 길이를 결정하는 구조 파라미터, 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 간격, 상기 금속 도체층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이, 상기 유전체층의 재료 특성, 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값, 상기 제 1 슬롯의 크기, 상기 제 2 슬롯의 한 변의 길이 중에서 적어도 하나 이상을 조절하여 공진 주파수 및 대역폭을 조절하는전자파 잔향실
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제 11 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는, 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치가 각각 다른 표면 저항 값을 가지는전자파 잔향실
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제 12 항, 제 14 항 또는 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 구조 파라미터는, 상기 단위셀 패턴의 한 변의 길이, 상기 반 직교다이폴 패치의 상기 단위셀 패턴에 맞닿아 있는 변의 길이, 상기 반 직교다이폴 패치에서 상기 기본 패치와 맞물려 있는 부분 중 상기 기본 패치와 평행한 방향인 변의 길이, 상기 기본 패치에서 정사각형의 한 변의 길이, 상기 단위셀 패턴의 두께 또는 상기 반 직교다이폴 패치에서 상기 단위셀 패턴의 한 변으로부터 수직한 높이 중에서 적어도 하나 이상을 포함하는전자파 잔향실
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