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광신호를 발생시키는 제 1 패키지; 및상기 제 1 패키지와 칩투칩본딩(chip-to-chip bonding)에 의하여 결합되며, 실리콘 광 회로 플랫폼 구조를 가지고, 상기 광신호를 증폭하는 제 2 패키지를 포함하되,상기 제 2 패키지는:상기 제 1 패키지로부터 상기 광신호를 전달받아 증폭시키는 반도체 광증폭기; 및상기 제 1 패키지로부터 출력된 상기 광신호를 입력받고, 상기 반도체 광증폭기와 연결되고, 그리고 상기 반도체 광증폭기에 대하여 일직선상에서 기울어져 형성되는 입출력 광도파로를 포함하는 송신용 광 모듈
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제 1항에 있어서,상기 제 1 패키지는 제 1 실리콘 기판; 상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 광신호를 출력하는 EML(electro absorption modulated laser) 칩; 상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 EML 칩으로부터 출력된 상기 광신호를 모니터링하는 모니터 포토 다이오드; 상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 EML 칩으로 RF 신호를 전달하는 RF 전송선로; 및 상기 제 1 실리콘 기판 위에 부착되며, 상기 RF 전송선로를 터미네이션하는 매칭 저항을 포함하는 송신용 광 모듈
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제 2항에 있어서,상기 제 2 패키지는 제 2 실리콘 기판을 더 포함하는 송신용 광 모듈
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제 3항에 있어서,상기 입출력 광도파로는 상기 제 2 실리콘 기판 위에 형성되고 상기 EML 칩으로부터 출력된 상기 광신호를 입력받는 송신용 광 모듈
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제 4항에 있어서,상기 반도체 광증폭기는 상기 반도체 광증폭기로 입력되는 상기 광신호의 방사각을 조절하는 송신용 광 모듈
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제 3항에 있어서,상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 광신호를 집광하는 렌즈; 및 상기 렌즈를 통해 집광된 광신호를 입력받는 광섬유 페룰을 더 포함하고,상기 광섬유 페룰의 단면은 일정한 각도로 경사져 있는 송신용 광 모듈
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제 3항에 있어서,상기 제 2 패키지는 상기 반도체 광증폭기로부터 발생하는 열을 감지하는 서미스터를 더 포함하는 송신용 광 모듈
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제 2항에 있어서,상기 모니터 포토 다이오드는 상기 EML 칩에 대하여 일직선상에서 기울어져 배치되는 송신용 광 모듈
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제 2항에 있어서,상기 RF 전송 선로는 GCPW(grounded coplanar waveguide) 전극이 형성된 FPCB(flexible printed circuit board)인 송신용 광 모듈
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제 2항에 있어서,상기 매칭 저항은 SMD 방식인 송신용 광 모듈
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제 2항에 있어서,상기 제 1 실리콘 기판 상부에는 전기적 접지를 형성하는 금속이 증착되고, 상기 금속의 상부에는 상기 EML 칩, 상기 모니터 포토 다이오드, 상기 RF 전송선로 및 상기 매칭 저항이 결합되는 송신용 광 모듈
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제 12항에 있어서,상기 EML 칩은 플립칩본딩 방법으로 상기 금속과 결합되는 송신용 광 모듈
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제 12항에 있어서,상기 EML 칩은 다이본딩 방법으로 상기 금속과 결합되는 송신용 광 모듈
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제 2항에 있어서,상기 EML 칩은 연속광을 출력하는 광원; 및상기 연속광을 입력받아 상기 광신호로 변조하는 EAM(electro absorption modulator)을 포함하고,상기 제 1 패키지는 상기 EAM에서 변조된 상기 광신호를 상기 제 1 패키지 외부로 출력하는 출력부 도파로를 포함하며,상기 출력부 도파로는 상기 EML과 상기 EAM의 일직선상에서 기울어져 형성되는 송신용 광 모듈
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제 15항에 있어서,상기 출력부 도파로는 상기 변조된 광신호의 방사각을 조절하는 송신용 광 모듈
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제 3항에 있어서,상기 제 1 패키지 및 상기 제 2 패키지 하단에 위치하고 상기 제 2 패키지 하단과 결합하여 상기 제 2 패키지에서 생성되는 열을 전달받는 금속 광벤치; 상기 제 1 패키지 하단과 금속 광벤치 상단 사이에 삽입되어 상기 제 1 패키지에서 생성되는 열을 상기 금속 광벤치로 전달하는 온도 패드; 및 상기 금속 광벤치 하단과 결합되어 상기 금속 광벤치로부터 방출된 열을 외부로 방출하는 열전 냉각 소자를 더 포함하는 송신용 광 모듈
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제 1항에 있어서,상기 제 1 패키지와 상기 제 2 패키지는 UV 에폭시에 의하여 결합되는 송신용 광 모듈
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