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기판상에 제1 유기물을 포함하는 제1 막을 형성하는 것;상기 제1 막에 패턴 몰드를 이용하여 제1 임프린트 공정을 수행하는 것;상기 제1 임프린트 공정이 수행된 제1 막상에 제2 유기물을 포함하는 제2 막을 형성하는 것; 및상기 제2 막에 블랭크 몰드를 이용하여 제2 임프린트 공정을 수행하는 것을 포함하는 유기 박막층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 임프린트 공정을 수행하는 것은,상기 패턴 몰드로 상기 제1막을 가압하여 상기 제1 막내에 리세스 영역들을 형성하는 것; 및상기 리세스 영역이 형성된 상기 제1 막을 경화시키는 것을 포함하는 유기 박막층의 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제2 막은 상기 리세스 영역들을 채우도록 형성되는 유기 박막층의 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 패턴 몰드는 상기 패턴 몰드의 일면으로부터 돌출된 복수의 패턴부들을 포함하고, 상기 패턴부들의 각각의 높이는 상기 리세스 영역들의 각각의 높이와 동일한 유기 박막층의 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 막을 경화시키는 것은,상기 제1 막에 자외선을 조사하는 것 또는 상기 제1막을 열처리하는 것을 포함하는 유기 박막층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 유기물 및 상기 제2 유기물은 동일한 유기 박막층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 임프린트 공정을 수행하는 것은,상기 블랭크 몰드로 상기 제2막을 가압하여 상기 제2막의 표면을 평탄화시키는 것; 및상기 평탄화된 제2막을 경화시키는 것을 포함하는 유기 박막층의 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 막을 경화시키는 것은,상기 제2 막에 자외선을 조사하는 것 또는 상기 제2막을 열처리하는 것을 포함하는 유기 박막층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1막 및 상기 제2막은 경화 개시제를 더 포함하는 유기 박막층의 형성 방법
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서로 이격된 복수의 리세스 영역들을 포함하는 제1막; 및상기 제1막 상에 상기 리세스 영역들을 각각 채우는 복수의 돌출부들을 포함하는 제2막 포함하되,상기 제1막의 상기 각 리세스 영역의 높이는 상기 제2막의 상기 각 돌출부의 높이와 동일하고,상기 제1 막 및 상기 제2막은 동일한 유기물을 포함하는 유기 박막층
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제10항에 있어서,상기 제2막은 상기 돌출부들이 배열된 제1면 및 상기 제1면에 대향되는 제2면을 갖고,상기 제2막의 상기 제2면은 평편한 면인 유기 박막층
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제10항에 있어서,상기 제2막의 상기 돌출부들의 표면들은 상기 제1막의 상기 리세스 영역들의 내면들과 접촉하는 유기 박막층
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기판상에 배치되는 게이트 전극;상기 기판상에 게이트 전극을 덮는 유기 절연층;상기 유기 절연층상에 배치되는 유기 활성층; 및상기 유기 활성층 상에 배치되고 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하되,상기 유기 절연층은 서로 이격된 복수의 리세스 영역들을 포함하는 제1 절연층 및 상기 제1 절연층상에 상기 리세스 영역들을 각각 채우는 복수의 돌출부들을 포함하는 제2 절연층을 포함하고,상기 제1 절연층의 상기 각 리세스 영역의 높이는 상기 제2 절연층의 상기 각 돌출부의 높이와 동일하고,상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 동일한 유기 절연물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제13항에 있어서,상기 유기 활성층과 접촉되는 상기 제2 절연층의 일면은 평편한 면인 유기 박막 트랜지스터
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제13항에 있어서,상기 유기 활성층은 서로 이격된 복수의 리세스 영역들을 포함하는 제1 반도체층 및 상기 제1 반도체층상에 상기 리세스 영역들을 각각 채우는 복수의 돌출부들을 포함하는 제2 반도체층을 포함하고,상기 제1 반도체층의 상기 각 리세스 영역의 높이는 상기 제2 반도체층의 상기 각 돌출부의 높이와 동일하고,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 동일한 유기 반도체 물질을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 접촉되는 상기 유기 활성층의 일면은 평편한 면인 유기 박막 트랜지스터
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