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전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET); 및상기 FET의 표면 또는 발열 부분으로 부착되고, 회로적으로는 상기 FET의 게이트 단자에 연결되어 상기 게이트 단자의 전압을 가변시키는 게이트 제어 소자;를 포함하고,상기 FET이 소정 온도 이상 상승 시에 상기 게이트 가변 소자에 의해 상기 게이트 단자의 전압이 가변되어 상기 FET의 소스-드레인 사이의 채널 전류가 제어되며,제1 단자 및 제2 단자를 구비한 커패시터를 더 포함하고, 상기 제1 단자는 상기 FET의 게이트와 상기 게이트 제어 소자에 연결되고, 상기 제2 단자는 게이트 전압원에 연결되는 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 제어 소자는,임계 온도에서 급격한 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제2 항에 있어서,상기 MIT 소자는 상기 임계 온도에서 급격한 MIT를 일으키는 MIT 박막; 및상기 MIT 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막;을 포함하며,상기 MIT 소자는 상기 MIT 박막을 사이에 두고 2개의 상기 전극 박막이 상하로 적층된 적층형이거나, 또는 상기 MIT 박막의 양 측면으로 2개의 상기 전극 박막이 배치된 수평형인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제2 항에 있어서,상기 MIT 소자는 상기 임계 온도에서 급격한 MIT를 일으키는 MIT 박막;상기 MIT 박막에 컨택하는 2개의 전극 박막;을 포함하며,2개의 상기 전극 박막 중 어느 하나인 제1 전극 박막은 상기 게이트 단자에 연결되고, 다른 하나인 제2 전극 박막은 제어용 전압원 또는 그라운드에 연결되는 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제4 항에 있어서,상기 FET이 임계 온도 이상 상승 시에,상기 MIT 박막이 절연체에서 금속으로 전이함으로써, 상기 제어용 전압원 또는 그라운드 전압이 상기 게이트 단자에 인가되는 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제4 항에 있어서,상기 FET의 드레인 전극으로는 구동 전압원이 연결되고,상기 FET의 소스 전극으로는 구동 소자가 연결되며,상기 FET의 게이트로는 게이트 전압원 및 상기 MIT 소자가 공통으로 연결되는 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 제어 소자는,온도 증가에 따라 저항이 감소하는 써미스터(thermistor) 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 FET은 N형 또는 P형이며, 상기 FET은 IGBT(insulated Gate Bipolar Transistor) 및 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터 중 어느 하나를 포함하는 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 FET과 게이트 제어 소자는 하나의 칩으로 패키징된 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터는 상기 FET으로부터 발생된 열을 전달하는 열 전달 매개체를 포함하고,상기 FET과 게이트 제어 소자는 각각 패키징되며, 패키징된 상기 FET과 게이트 제어 소자는 상기 열 전달 매개체를 통해 열 전달이 되도록 결합되는 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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구동 소자; 및상기 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로 공급되는 전류를 제어하는 적어도 하나의 제1 항의 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터;를 포함하는 전기전자장치
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제12 항에 있어서,상기 게이트 제어 소자는, 임계 온도에서 급격한 금속 절연체 전이(MIT)가 발생하는 MIT 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
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제13 항에 있어서,상기 게이트 제어 소자는,상기 MIT 소자는 상기 임계 온도에서 급격한 MIT를 일으키는 MIT 박막;상기 MIT 박막에 컨택하는 2개의 전극 박막;을 포함하며,2개의 상기 전극 박막 중 어느 하나인 제1 전극 박막은 상기 게이트 단자에 연결되고, 다른 하나인 제2 전극 박막은 제어용 전압원 또는 그라운드에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
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제14 항에 있어서,상기 FET의 드레인 전극으로는 구동 전압원이 연결되고,상기 FET의 소스 전극으로는 상기 구동 소자가 연결되며,상기 FET의 게이트로는 게이트 전압원 및 상기 MIT 소자가 공통으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
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제12 항에 있어서,상기 게이트 제어 소자는,온도 증가에 따라 저항이 감소하는 써미스터 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
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제12 항에 있어서,상기 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터는 복수 개이고,복수 개의 상기 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터의 각각의 상기 FET은 어레이 구조로 배치되어 FET 어레이 소자를 구성하고, 상기 FET 어레이 소자의 각각의 FET에 상기 게이트 제어 소자가 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
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제12 항에 있어서,상기 전기전자장치는,상기 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터가 사용되는, RF 신호 증폭용 소자, DC-DC 스위칭 소자, 파워 서플라이용 스위칭 소자, 마이크로프로세서의 고속 신호 처리용 스위칭 소자, 전자기기들의 파워 제어용 스위칭 소자, 리튬이온 충전용 스위칭 소자, LED 제어용 스위칭 소자, 디스플레이 픽셀 제어용 스위치 소자, 메모리 셀 제어용 스위칭 소자, 음향기기에서 음향 및 음성 신호 증폭용 스위칭 소자, 포토-릴레이, 및 광 스위치 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
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제2 항에 있어서,상기 MIT 소자는 상기 임계 온도에서 급격한 MIT를 일으키는 MIT 박막, 및 상기 MIT 박막에 컨택하는 2개의 전극 박막을 구비하고,상기 MIT 박막은 VO2로 형성된 것을 특징으로 하는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터
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