| 1 |
1
제 1 도전형의 반도체 기판을 식각하여 제 1 트렌치를 형성하는 것; 상기 제 1 트렌치로부터 연장하는 제 2 트렌치를 형성하는 것;상기 제 2 트렌치 내벽으로 불순물을 확산하여 상기 제 2 트렌치를 감싸는 제 2 도전형의 불순물 영역을 형성하는 것;상기 제 2 트렌치 내벽을 덮는 플로팅 절연막과 상기 제 2 트렌치를 채우는 플로팅 전극을 형성하는 것; 및상기 제 1 트렌치 내벽을 덮는 게이트 절연막과 상기 제 1 트렌치를 채우는 게이트 전극을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 트렌치를 형성하는 것은,상기 반도체 기판 상에 상기 제 1 트렌치의 내벽을 덮는 보호막을 형성하는 것;상기 제 1 트렌치의 하부면을 덮는 상기 보호막을 제거하여 상기 제 1 트렌치의 하부면을 노출시키는 것; 및상기 제 1 트렌치의 하부면에 노출된 상기 반도체 기판을 식각하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 불순물 영역을 형성한 후에 상기 제 1 트렌치의 측벽을 덮는 보호막을 제거하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 불순물 영역을 형성하는 것은,상기 제 2 트렌치 내벽을 덮는 제 2 도전형의 불순물 막을 형성하는 것;상기 불순물 막을 열처리하여 상기 불순물 막에 포함되어 있는 불순물을 상기 제 2 트렌치 주변으로 확산시키는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 불순물 막은 boron(B), aluminum(Al), Gallium(Ga), 및 Indium(In) 중 어느 하나를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 불순물 막은 Nitride(N), Phosphorus(P), Arsenic(As), 및 Antimony(Sb) 중 어느 하나를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 4 항에 있어서,상기 불순물 막은 상기 불순물 영역이 형성된 후에 제거되는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판의 하부에 제 1 도전형의 드레인 영역 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 불순물 영역 및 상기 플로팅 절연막은 상기 드레인 영역과 접촉되도록 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 불순물 영역 및 상기 플로팅 절연막은 상기 드레인 영역과 이격되도록 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 반도체 기판 내에 상기 불순물 영역과 접촉되며 상기 제 1 트렌치에 대응되는 깊이를 가지는 채널 영역을 형성하는 것;상기 채널 영역 상에 형성되되, 상기 불순물 영역과 이격되며 상기 제 1 트렌치의 측벽부와 접촉되는 제 1 도전형의 소스 영역을 형성하는 것;상기 채널 영역 상에 상기 제 1 트렌치의 측벽과 이격된 제 2 도전형의 소스 영역을 형성하는 것; 상기 반도체 기판 상에 접촉하는 소스 전극을 형성하는 것; 및상기 반도체 기판 하부의 드레인 영역에 접촉하는 상기 드레인 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 플로팅 절연막은 상기 게이트 절연막보다 두껍게 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서,상기 플로팅 절연막은 열 산화 공정(Thermal-oxidation), 및 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)방법 중 어느 하나에 의해서 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서,상기 플로팅 절연막은 산화막, 질화막, 및 산화막과 질화막이 포함된 다층막 중 어느 하나인 반도체 소자의 제조 방법
|
