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제 1 및 제 2 질화물 반도체층들이 차례로 적층된 성장 기판 상에 복수의 전극들을 형성하는 것;상기 각각의 전극들 상에 상부 금속층들을 형성하는 것;상기 성장 기판을 제거하여 상기 제 1 질화물 반도체층의 하면을 노출하는 것;상기 노출된 제 1 질화물 반도체층의 하면 상에 제 3 질화물 반도체층 및 하부 금속층을 차례로 형성하는 것;상기 복수의 전극들을 형성하기 전에, 상기 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들을 식각하여 활성 영역을 형성하는 것; 및 상기 복수의 전극들을 형성하기 전에, 상기 활성 영역의 제 2 질화물 반도체층의 일부를 리세스 하는 것을 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 전극들은 제 1 내지 제 3 전극들을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 전극들은 상기 리세스된 활성 영역 상에 형성되고,상기 제 3 전극은 상기 제 1 및 제 2 전극들 사이의 활성 영역 상에 형성되는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극들은 상기 제 2 질화물 반도체층과 오믹 접합을 이루는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전극들은 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 및 금(Au)이 순차적으로 적층된 구조를 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 3 질화물 반도체층은 상기 제 1 질화물 반도체층보다 밴드갭이 넓은 물질을 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 3 질화물 반도체층은 알루미늄 질화물(AlN)을 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 성장 기판을 제거하는 것은:랩핑(lapping) 또는 화학적 기계 연마 공정(CMP)을 수행하여 상기 성장 기판을 박형화하는 것; 및상기 박형화된 성장 기판의 하면을 건식식각 하는 것을 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 성장 기판을 제거하기 전에, 상기 성장 기판의 전면 상에 절연막을 형성하는 것; 및상기 절연막 상에 지지 기판을 형성하는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 절연막은 PMMA(poly methyl methacrylate)를 포함하고,상기 지지 기판은 상기 지지 기판과 상기 절연막 사이의 접착층에 의해 접착되는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 금속층들을 형성하는 것은 제 1 내지 제 3 서브 금속층들을 순차적으로 적층하는 것을 포함하고,상기 제 1 내지 제 3 서브 금속층들은 티타늄(Ti)/백금(Pt)/금(Au), 티타늄(Ti)/니켈(Ni)/금(Au) 또는 티타늄 (Ti)/니켈(Ni)/은(Ag)의 적층 구조로 형성되는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 금속층들 상에 전극 패드들을 형성하는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 전극들을 형성하기 전에, 상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제 4 질화물 반도체층을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 활성 영역의 형성 동안 및 상기 제 2 질화물 반도체층의 리세스 동안, 상기 제4 질화물 반도체층의 일부도 함께 제거되는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들은 이종 접합 구조를 이루는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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