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제 1 및 제 2 레이저 빔을 생성하는 제 1 및 제 2 레이저들;상기 제 1 및 제 2 레이저들과 연결되는 광 도파로; 및상기 광 도파로를 통해 전달되는 상기 제 1 및 제 2 레이저 빔을 검출하는 광 검출기를 포함하되,상기 광 검출기는, 기판과, 상기 기판 상의 제 1 불순물 층과, 상기 제 1 불순물 층 상의 흡수 층과, 상기 흡수 층 상의 제 2 불순물 층을 포함하고,상기 흡수 층은 상기 제 1 및 제 2 레이저 빔의 비팅에 의해 테라헤르츠 파를 생성하고, 상기 제 1 및 제 2 불순물 층들 사이에 제공되는 바이어스 전압에 비례하여 증가하는 최대 허용 광전류를 생성하고, 0
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제 1 항에 있어서,상기 흡수 층은 0
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 불순물 층, 상기 흡수 층 및 상기 제 2 불순물 층은 상기 기판 상에서 일방향으로 연장되는 리지 도파로인 광학 소자
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4
제 3 항에 있어서,상기 광 검출기는 상기 흡수 층 양측에 이격되어 상기 제 1 불순물 층 상에 형성된 제 1 전극과, 상기 제 2 불순물 층 상에 형성된 제 2 전극을 더 포함하는 광학 소자
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제 3 항에 있어서,상기 광 도파로는 렌즈형 광섬유를 포함하는 광학 소자
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제 5 항에 있어서,상기 리지 도파로는 상기 렌즈형 광섬유에 비해 0
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제 1 항에 있어서,상기 흡수 층은 진성 인듐갈륨아세나이드을 포함하는 광학 소자
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제 1 항에 있어서,상기 광 도파로는 상기 광 검출기에 연결되는 접합 도파로와, 상기 접합 도파로에서 상기 제 1 및 제 2 레이저들에 각각 연결되는 제 1 및 제 2 브랜치 도파로들을 포함하는 광학 소자
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제 1 항에 있어서,상기 광 검출기에서 상기 제 1 및 제 2 레이저 빔의 비팅에 의해 출력되는 테라헤르츠 파를 수신하는 출력 회로를 더 포함하는 광학 소자
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제 9 항에 있어서,상기 광 검출기는 상기 출력 회로의 내부 저항과 상기 도파로의 저항이 동일한 진행파형 광 검출기를 포함하는 광학 소자
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