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1
아웃 렛 영역으로서 기능하는 제1 도전형 제1 반도체 영역;상기 제1 도전형 제1 반도체 영역과 접촉되는 경계면에서 일어나는 불연속 금속 절연체 전이를 제어하는 콘트롤 영역으로서 기능하며 상기 제1 도전형 제1 반도체 영역의 상부에 모트 임계 농도 Nc를 갖도록 형성된 제2 도전형 제2 반도체 영역; 및상기 제2 도전형 제2 반도체 영역의 상부에 배치되며 인렛 영역으로서 기능하는 제1 도전형 제3 반도체 영역을 포함하는 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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2
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형이 p형인 경우에 상기 제2 도전형은 n형인 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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3
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형이 n형인 경우에 상기 제2 도전형은 p형인 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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4
제1항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기, 전자 혹은 정공이 도핑 된 Si, SiC, GaN, VO2, V2O3, 및 탄소계 물질 (Graphite, Graphene)들 중의 하나인 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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5
제1항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기, IV 족, III-V족, 및 II-VI 족 원소 중의 하나 또는 상기 족 원소들 간의 선택적 결합으로 구성된 화합물 반도체로 이루어진 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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6
제1항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들 중 한 영역은 단결정 기판인 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기 대응되는 영역에 형성된 금속 전극을 가지는 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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8
제1항에 있어서, 상기 제1,3 반도체 영역들이 파워와 접지에 각기 대응적으로 접속될 경우에 상기 제2 반도체 영역은 저항을 통해 상기 파워에 연결되는 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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9
제1항에 있어서, 상기 제3 반도체 영역의 전자 혹은 정공 도핑 농도는 상기 제1 반도체 영역의 전자 혹은 정공 도핑 농도보다 큰 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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10
제9항에 있어서, 상기 제2 반도체 영역의 정공 혹은 전자 도핑 농도는 1x 1018 cm-3 이상인 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자
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11
아웃 렛 영역으로서 기능하는 제1 도전형 제1 반도체 영역; 상기 제1 도전형 제1 반도체 영역과 접촉되는 경계면에서 일어나는 불연속 금속 절연체 전이를 제어하는 콘트롤 영역으로서 기능하며 상기 제1 도전형 제1 반도체 영역의 상부에 모트 임계 농도 Nc를 갖도록 형성된 제2 도전형 제2 반도체 영역; 및 상기 제2 도전형 제2 반도체 영역의 상부에 배치되며 인렛 영역으로서 기능하는 제1 도전형 제3 반도체 영역을 포함하는 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자를, M x N (여기서, M,N은 각기 1이상의 자연수)의 매트릭스 형태로 가지는 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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12
제11항에 있어서, 상기 제1 도전형이 p형인 경우에 상기 제2 도전형은 n형인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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13
제11항에 있어서, 상기 제1 도전형이 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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14
제11항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기, 전자 혹은 정공이 도핑된 Si, SiC, GaN, VO2, V2O3, 및 탄소계 물질 (Graphite, Graphene)들 중의 하나인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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15
제11항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기, IV 족, III-V족, 및 II-VI 족 원소 중의 하나 또는 상기 족 원소들 간의 선택적 결합으로 구성된 화합물 반도체로 이루어진 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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16
제11항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들 중 한 영역은 단결정 기판인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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17
제11항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기 대응되는 영역에 형성된 금속 전극을 가지는 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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18
제11항에 있어서, 상기 제1,3 반도체 영역들이 파워와 접지에 각기 대응적으로 접속될 경우에 상기 제2 반도체 영역은 저항을 통해 상기 파워에 연결되는 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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19
제11항에 있어서, 상기 제3 반도체 영역의 전자 혹은 정공 도핑 농도는 상기 제1 반도체 영역의 전자 혹은 정공 도핑 농도보다 큰 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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20
제19항에 있어서, 상기 제2 반도체 영역의 정공 도핑 농도는 1x 1018 cm-3 이상인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자
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21
아웃 렛 영역으로서 기능하는 제1 도전형 제1 반도체 영역; 상기 제1 도전형 제1 반도체 영역과 접촉되는 경계면에서 일어나는 불연속 금속 절연체 전이를 제어하는 콘트롤 영역으로서 기능하며 상기 제1 도전형 제1 반도체 영역의 상부에 모트 임계 농도 Nc를 갖도록 도핑된 제2 도전형 제2 반도체 영역; 및 상기 제2 도전형 제2 반도체 영역의 상부에 배치되며 인렛 영역으로서 기능하는 제1 도전형 제3 반도체 영역을 포함하는 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자를, M x N (여기서, M,N은 각기 1이상의 자연수)의 매트릭스 형태로 가지며, 상기 매트릭스 형태로 된 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자를 전기 전자 시스템에 적용할 수 있도록 하기 위해 외부 단자들이 노출된 상태에서 패시베이션 막으로써 패키지한 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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제21항에 있어서, 상기 제1 도전형이 p형인 경우에 상기 제2 도전형은 n형인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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23
제21항에 있어서, 상기 제1 도전형이 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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제23항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기, 전자 혹은 정공이 도핑된 Si, SiC, GaN, VO2, V2O3, 및 탄소계 물질 (Graphite, Graphene)들 중의 하나인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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제23항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기, IV 족, III-V족, 및 II-VI 족 원소 중의 하나 또는 상기 족 원소들 간의 선택적 결합으로 구성된 화합물 반도체로 이루어진 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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제25항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 절연체 수준의 단결정 기판, 정공이 도핑된 제1 증착 박막, 전자가 도핑된 제2 증착 박막으로 각기 이루어진 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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27
제26항에 있어서, 상기 제1,2,3 반도체 영역들은 각기 대응되는 영역의 일부에 형성된 알루미늄 전극을 가지는 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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28
제27항에 있어서, 상기 제1,3 반도체 영역들이 파워와 접지에 각기 대응적으로 접속될 경우에 상기 제2 반도체 영역은 저항을 통해 상기 파워에 연결되는 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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29
제28항에 있어서, 상기 제3 반도체 영역의 전자 도핑 농도는 상기 제1 반도체 영역의 전자 도핑 농도보다 큰 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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30
제29항에 있어서, 상기 제2 반도체 영역의 정공 도핑 농도는 1x 1018 cm-3 이상인 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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31
제30항에 있어서, 상기 제3 반도체 영역은 강 상관 금속 수준의 영역 특성을 가지는 금속-절연체 전이 3 단자형 멀티 스위치 소자 패키지
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전기 전자 시스템의 전기 전자 회로부; 및 상기 전기 전자 회로부의 파워 라인과 접지 라인 사이에 접속되며, 아웃 렛, 콘트롤, 및 인렛으로서의 3단자를 가지고, 아웃 렛과 인렛의 영역들이 접촉되는 경계면에서 불연속 금속 절연체 전이가 발생되어 정전기 잡음 신호를 제거하도록 구성된 금속-절연체 전이 3 단자형 스위치 소자를 포함하고,상기 인렛은 상기 파워 라인에, 상기 아웃 렛은 상기 접지 라인에, 상기 콘트롤은 저항을 통하여 상기 파워 라인에 연결되며,상기 아웃 렛, 콘트롤, 인렛의 영역들은 절연체 수준의 단결정 기판, 정공이 도핑된 제1 실리콘 증착 박막, 전자가 도핑된 제2 실리콘 증착 박막으로 각기 이루어진 전기 전자 시스템
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제32항에 있어서, 상기 3 단자형 스위치 소자는 수 나노 초 내지 수백 나노 초 범위의 정전기 잡음 신호를 제거하여 상기 전기 전자 회로부를 보호하는 전기 전자 시스템
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제32항에 있어서, 상기 3 단자형 스위치 소자는 상기 파워 라인에 인가되는 전압 보다 높은 전압 레벨로 인가되는 정전기 잡음 신호를 제거하여 상기 전기 전자 회로부를 보호하는 전기 전자 시스템
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제32항에 있어서, 상기 3 단자형 스위치 소자는 보호막으로 패키징되는 전기 전자 시스템
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제32항에 있어서, 상기 3 단자형 스위치 소자는 상기 전기 전자 시스템의 전단에서 직렬, 병렬, 혹은 직병렬로 더 배치되는 전기 전자 시스템
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제32항에 있어서, 상기 인렛의 영역은 강 상관 금속 수준의 영역 특성을 가지는 전기 전자 시스템
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제32항에 있어서, 상기 콘트롤의 영역에 도핑된 정공의 농도는 1x 1018 cm-3 이상인 전기 전자 시스템
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제32항에 있어서, 상기 3 단자형 스위치 소자는 0
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