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기판 위에 적층된 다수의 반도체층;상기 반도체층에 형성된 활성영역;상기 활성영역과 이격되어 위치하고 상기 활성영역을 둘러싸는 링(ring) 형태를 갖도록 형성된 가드링;상기 활성영역 상에 형성된 전극 및상기 가드링 상에 전기 전도성 물질로 형성된 접촉부를 포함하는 가드링 구조를 갖는 아발란치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 접촉부는 외부 전압을 상기 가드링에 인가하고, 상기 외부 전압은 상기 전극에서 검출되는 전압을 참조하여 결정되는 것을 특징으로 하는 가드링 구조를 갖는 아발란치 포토다이오드
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제2항에 있어서, 상기 접촉부는 외부 전압의 인가를 용이하게 하기 위해 별도의 금속패드와 연결되는 것을 특징으로 하는 가드링 구조를 갖는 아발란치 포토다이오드
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기판 위에 다수의 반도체층을 차례로 형성하는 단계;상기 반도체층에 패턴화된 확산 마스크를 이용하여 확산 공정을 통해 활성영역을 형성하는 단계; 상기 활성영역과 이격되고 상기 활성영역을 둘러싸는 링(ring) 형태를 갖도록 가드링을 형성하는 단계;상기 가드링 상에 전도성 물질의 접촉부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가드링 구조를 갖는 아발란치 포토다이오드 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 전도성 물질은 상기 가드링 간의 커패시터 커플링에 의해 상기 가드링에 유도되는 전압을 고려하여 결정된 커패시턴스 값을 갖는 것을 특징으로 하는 가드링 구조를 갖는 아발란치 포토다이오드 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 다수의 반도체층은 광흡수층, 그레이딩층, 전하층 및 증폭층을 차례로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 가드링 구조를 갖는 아발란치 포토다이오드 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 접촉부를 형성하는 단계는, 상기 가드링이 형성된 반도체층 상에 절연층을 형성하는 과정, 상기 절연층을 패터닝하여 패터닝부를 에칭하는 과정,상기 패터닝부에 상기 가드링과 연결되도록 금속을 증착하여 접촉부를 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가드링 구조를 갖는 아발란치 포토다이오드 제조방법
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