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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015090823
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 제 1 도전형의 반도체 기판, 상기 제 1 도전형의 반도체 기판의 상부에 형성된 제 2 도전형의 드리프트 영역, 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격되며, 상기 게이트 전극의 일 측면에 인접하도록 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 배치되는 제 1 에미터 전극, 상기 게이트 전극과 이격되며, 상기 게이트 전극의 타 측면에 인접하도록 상기 제 2 도전형의 반도체 기판 상에 배치되는 컬렉터 전극, 상기 게이트 전극과 상기 컬렉터 전극 사이에 배치되는 제 2 에미터 전극, 및 상기 제 2 도전형의 드리프트 영역 내에 상기 제 2 에미터 전극과 상기 컬렉터 전극 사이에 형성된 트렌치 절연막을 포함한다.
Int. CL H01L 29/739 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/31 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01)
출원번호/일자 1020120130550 (2012.11.16)
출원인 한국전자통신연구원, 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2013226-0000 (2019.08.16)
공개번호/일자 10-2014-0063327 (2014.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20190822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 불수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양일석 대한민국 대전 유성구
2 김종대 대한민국 대전 유성구
3 구용서 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
2 단국대학교 산학협력단 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0946581-33
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0412637-81
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0880131-69
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0880156-00
7 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2017.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0131307-23
8 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2017.09.19 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0909026-97
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2017.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0134096-09
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.09.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0937894-91
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0937870-06
12 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0152134-68
13 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2017.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0153187-45
14 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2017.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0153142-02
15 보정요구서
Request for Amendment		 2017.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0155190-29
16 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1076584-69
17 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2017.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0158576-64
18 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2017.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-1102021-32
19 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2017.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0160994-38
20 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
21 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0045747-53
22 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0638392-84
23 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1152330-86
24 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1152331-21
25 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0221424-23
26 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0430426-14
27 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.04.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0430427-60
28 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0361707-99
29 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0202472-92
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 도전형의 반도체 기판;상기 제 1 도전형의 반도체 기판의 상부에 형성된 제 2 도전형의 드리프트 영역;상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극과 이격되며, 상기 게이트 전극의 일 측면에 인접하도록 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 배치되는 제 1 에미터 전극;상기 게이트 전극과 이격되며, 상기 게이트 전극의 타 측면에 인접하도록 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 배치되는 컬렉터 전극;상기 게이트 전극과 상기 컬렉터 전극 사이에 배치되는 제 2 에미터 전극; 및상기 제 2 도전형의 드리프트 영역 내에 상기 제 2 에미터 전극과 상기 컬렉터 전극 사이에 형성된 트렌치 절연막을 포함하되, 상기 제 2 에미터 전극은 상기 제 1 에미터 전극과 이격 배치되어 전력용 스위칭 소자로 사용되고,상기 제 1 에미터 전극 및 상기 제 2 에미터 전극에 각각 전압을 인가하여 상기 제 1 에미터 전극과 상기 컬렉터 전극에서는 제 1 PNPN 사이리스터가 동작하고, 상기 제 2 에미터 전극과 상기 컬렉터 전극에서는 제 2 PNPN 사이리스터가 동작하는 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 트렌치 절연막의 상부면은 상기 제1 도전형의 반도체 기판의 상부면에 노출되는 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 트렌치 절연막의 상부면의 폭은 상기 트렌치 절연막의 하부면의 폭보다 넓은 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 트렌치 절연막은:상부 영역; 및상기 상부 영역의 폭보다 좁은 폭을 갖는 하부 영역을 포함하는 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제2 도전형의 드리프트 영역 내에, 상기 제2 에미터 전극과 인접하게 제공되는 베이스 영역을 더 포함하는 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
6 6
제 5 항에 있어서,상기 트렌치 절연막의 상부 부분의 일 측면은 상기 베이스 영역과 접촉되는 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제2 도전형의 드리프트 영역 내에, 상기 컬렉터 전극과 인접하게 제공되는 제2 도전형의 웰 영역을 더 포함하는 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
8 8
제 7 항에 있어서,상기 트렌치 절연막의 상기 상부 부분의 타 측면은 상기 제2 도전형의 웰 영역과 접촉되는 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
9 9
제 8 항에 있어서,상기 트렌치 절연막의 최대 깊이는 상기 베이스 영역 및 상기 제2 도전형의 웰 영역보다 얕거나 같은 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
10 10
제 1 항에 있어서,상기 트렌치 절연막은 실리콘 산화물을 포함하는 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 BLDC 모터용 고전압/대전류 파워모듈 및 ESD 기술개발 산업원천기술개발사업(정보통신)