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다수의 제1 전극들을 가지며 투명한 기판을 마련하는 단계;다수의 제2 전극들을 갖는 반도체 칩을, 상기 제1 전극 및 제2 전극 각각이 서로 마주하도록 상기 기판 상에 배치하는 단계;상기 기판 및 반도체 칩들 사이에 솔더 입자들 및 산화제를 포함하는 폴리머층을 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 전극들 사이의 솔더 입자들을 레이저를 이용하여 국부적으로 용융시켜 상기 제1 및 제2 전극들 사이를 전기적으로 연결시키는 용융 솔더층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극들 사이의 솔더 입자들을 레이저를 이용하여 국부적으로 용융시켜, 상기 제1 및 제2 전극들 사이를 전기적으로 연결시키는 용융 솔더층을 형성하는 단계는,상기 제1 전극들이 형성된 기판에 레이저 빔을 국부적으로 조사하는 단계;상기 레이저 빔에 의해 상기 제1 및 제2 전극들 주위로 국부적인 열이 전달되는 단계;상기 제1 및 제2 전극들 주위로 전달된 열에 의해 폴리머 내 상기 산화제가 활성화되어 상기 제1 및 제2 전극들 표면에 있는 산화막이 제거되는 단계; 및상기 산화막이 제거된 제1 및 제2 전극들 인접한 솔더 입자들이 용융되어 상기 제1 및 제2 전극에 젖어(wetting) 접합되는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 레이저 빔은 상기 다수의 제1 전극들 각각에 순차적으로 조사되는 반도체 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 레이저 빔은, 상기 다수의 제1 전극들에 여러 개의 레이저 빔을 이용하여 한번에 조사하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 용융 솔더층을 형성한 후, 잔류하는 폴리머층을 제거하는 단계; 및상기 기판 및 반도체 칩들 사이를 언더 필로 충진하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극들 사이의 솔더 입자들을 레이저를 이용하여 국부적으로 용융시켜 상기 제1 및 제2 전극들 사이를 전기적으로 연결시키는 용융 솔더층을 형성하는 동안 외부 압력이 작용하지 않는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리머층은 경화제를 더 포함하되,상기 용융 솔더층을 형성한 후,상기 경화제에 의해 상기 폴리머층을 경화시키는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 전극을 갖는 기판;상기 제1 전극과 대응하는 제2 전극을 갖는 반도체 칩;상기 기판 및 반도체 칩들 사이에 충진된 폴리머층;상기 폴리머층 내에 배치되며 상기 제1 및 제2 전극들 사이를 전기적으로 연결하는 용융 솔더층을 포함하는 반도체 소자
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제8항에 있어서,상기 용융 솔더층은 주석(Sn) 및 In(인듐) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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제8항에 있어서,상기 폴리머층은 디글리시딜 에테르 비스페놀 에이(diglycidyl ether of bisphenol A), 테트라글리시딜 4,4-디아미노디페닐 메탄(tertraglycidyl 4,4'-diaminodiphenyl methane), 트리 디아미노 디페닐 메탄(tri diaminodiphenyl methane), 이소시아네이트(isocyanate) 및 비스말레이미드(bismaleimide)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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제8항에 있어서,상기 폴리머층 내에 부유하는 솔더 입자를 더 포함하는 반도체 소자
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제11항에 있어서,상기 솔더 입자는 상기 용융 솔더층과 동일한 물질을 포함하는 반도체 소자
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