기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

정전기 방전 보호 회로

기술번호 : KST2015092379
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 정전기 방전 보호 회로에 관한 것이다. 본 발명의 정전기 방전 보호 회로는 기판 상에 형성된 N 베리드영역, N 베리드영역 상에 형성된 딥 N웰, 딥 N웰 좌측에 형성되는 제 1 싱크영역, 딥 N웰 내에 형성되고, 양의 단자에 연결된 제 1 P+도핑영역과 제 1 N+도핑영역을 포함하는 제1 N웰, 딥 N웰 내에 형성되고, 외부저항을 통해서 음의 단자에 연결된 제 2 P+도핑영역, 제 3 P+도핑영역, 및 제 4 P+도핑영역과, 음의 단자에 연결된 제 2 N+도핑영역 및 제 3 N+도핑영역을 포함하는 P웰, 딥 N웰 내에 형성되고, 양의 단자에 연결된 제 5 P+도핑영역과 제4 N+도핑영역을 포함하는 제 2 N웰, 딥 N웰 우측에 형성되는 제2 싱크영역, 제 1 N+도핑영역과 제 1 N웰 사이에 형성된 제 1 N웰저항, P웰과, 제 2 P+도핑영역, 제 3 P+도핑영역, 및 제 4 P+도핑영역 사이에 형성된 P웰저항, 제 4 N+도핑영역과 제 2 N웰 사이에 형성된 제 2 N웰저항, 딥 N웰과 N 베리드영역 사이에 형성되고, N 베리드영역에 형성된 일측이 제 1 N+도핑영역과 연결된 제 1 딥 N웰저항, 및 딥 N웰과 N 베리드영역 사이에 형성되고, N 베리드영역에 형성된 일측이 제 4 N+도핑영역과 연결된 제2 딥 N웰저항을 포함한다.
Int. CL	H01L 27/02 (2006.01.01) H01L 27/092 (2006.01.01) H01L 21/8238 (2006.01.01)
CPC	H01L 27/0266(2013.01) H01L 27/0266(2013.01) H01L 27/0266(2013.01)
출원번호/일자	1020140006794 (2014.01.20)
출원인	한국전자통신연구원, 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2015-0086752 (2015.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2019.01.18)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구
2	단국대학교 산학협력단	대한민국	경기도 용인시 수지구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	양일석	대한민국	대전광역시 유성구
2	남은수	대한민국	대전광역시 서구
3	이명래	대한민국	대전 유성구
4	구용서	대한민국	경기 용인시 수지구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
최종권리자 정보가 없습니다

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.01.20	수리 (Accepted)	1-1-2014-0057408-14
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0048888-39
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2019.01.18	수리 (Accepted)	1-1-2019-0067419-89
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2019.01.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0067418-33
6	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2019.11.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2019.12.09	수리 (Accepted)	9-1-2019-0057291-06
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0152304-70
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.04.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0433730-28
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2020-0433729-82
11	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2020.08.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0555149-85
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.10.07	수리 (Accepted)	1-1-2020-1060320-08
13	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.10.07	수리 (Accepted)	1-1-2020-1060321-43
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.10.26	수리 (Accepted)	4-1-2020-5239146-54

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 형성된 N 베리드영역;상기 N 베리드영역 상에 형성된 딥 N웰;상기 딥 N웰 좌측에 형성되는 제 1 싱크영역;상기 딥 N웰 내에 형성되고, 양의 단자에 연결된 제 1 P+도핑영역과 제 1 N+도핑영역을 포함하는 제1 N웰;상기 딥 N웰 내에 형성되고, 외부저항을 통해서 음의 단자에 연결된 제 2 P+도핑영역, 제 3 P+도핑영역, 및 제 4 P+도핑영역과, 상기 음의 단자에 연결된 제 2 N+도핑영역 및 제 3 N+도핑영역을 포함하는 P웰;상기 딥 N웰 내에 형성되고, 상기 양의 단자에 연결된 제 5 P+도핑영역과 제4 N+도핑영역을 포함하는 제 2 N웰;상기 딥 N웰 우측에 형성되는 제2 싱크영역;상기 제 1 N+도핑영역과 상기 제 1 N웰 사이에 형성된 제 1 N웰저항;상기 P웰과, 상기 제 2 P+도핑영역, 제 3 P+도핑영역, 및 제 4 P+도핑영역 사이에 형성된 P웰저항;상기 제 4 N+도핑영역과 상기 제 2 N웰 사이에 형성된 제 2 N웰저항;상기 딥 N웰과 상기 N 베리드영역 사이에 형성되고, 상기 N 베리드영역에 형성된 일측이 상기 제 1 N+도핑영역과 연결된 제 1 딥 N웰저항; 및상기 딥 N웰과 상기 N 베리드영역 사이에 형성되고, 상기 N 베리드영역에 형성된 일측이 상기 제 4 N+도핑영역과 연결된 제2 딥 N웰저항을 포함하는 정전기 방전 보호 회로

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.01.20	수리 (Accepted)	1-1-2014-0057408-14
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0048888-39
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2019.01.18	수리 (Accepted)	1-1-2019-0067419-89
5	[명세서등 보정]보정서	2019.01.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0067418-33
6	선행기술조사의뢰서	2019.11.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서	2019.12.09	수리 (Accepted)	9-1-2019-0057291-06
8	의견제출통지서	2020.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0152304-70
9	[명세서등 보정]보정서	2020.04.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0433730-28
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2020-0433729-82
11	최후의견제출통지서	2020.08.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0555149-85
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.10.07	수리 (Accepted)	1-1-2020-1060320-08
13	[명세서등 보정]보정서	2020.10.07	수리 (Accepted)	1-1-2020-1060321-43
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.10.26	수리 (Accepted)	4-1-2020-5239146-54

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015081144][한국전자통신연구원]	고성능 집적형 인덕터	새창보기
[KST2015092184][한국전자통신연구원]	정전기 방전 보호 회로	새창보기
[KST2015095466][한국전자통신연구원]	수직한 방향으로 형성되는 인덕터 및 상기 인덕터를포함하는 전자 소자	새창보기
[KST2015097876][한국전자통신연구원]	수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법	새창보기
[KST2016008434][한국전자통신연구원]	반도체 채널 저항의 등가 회로 구성 방법(METHODE FOR CONSTRUCTING EQUIVALENT CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR CHANNEL RESISTOR)	새창보기
[KST2015077507][한국전자통신연구원]	은을 이용한 인덕터 제조 방법	새창보기
[KST2015077826][한국전자통신연구원]	박막 인덕터 제작방법	새창보기
[KST2015078485][한국전자통신연구원]	원칩형 박막 인덕터 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015101026][한국전자통신연구원]	ＳＯＩ 기판 위에 구현된 ＮＭＯＳ 소자, ＰＭＯＳ 소자및 ＳｉＧｅＢｉＣＭＯＳ 소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015079491][한국전자통신연구원]	반도체 시모스 소자	새창보기
[KST2015094330][한국전자통신연구원]	아날로그 반도체소자 제조방법	새창보기
[KST2017007646][한국전자통신연구원]	전력 반도체 모듈 및 그것의 안정화 방법(POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR STABLING THEREOF)	새창보기
[KST2017007802][한국전자통신연구원]	고신뢰성 전계효과 전력 소자 및 그의 제조 방법(High reliability field effect power device and manufacturing method of the High reliability field effect power device)	새창보기
[KST2017012675][한국전자통신연구원]	다중 채널을 갖는 트랜지스터(transistor having multichannel)	새창보기
[KST2015073844][한국전자통신연구원]	개선된오오믹접속을갖는반도체장치의제조방법	새창보기
[KST2015077766][한국전자통신연구원]	트렌치 드레인 필드판을 갖는 전력소자	새창보기
[KST2015096518][한국전자통신연구원]	안티퓨즈 소자의 제조방법	새창보기
[KST2015073641][한국전자통신연구원]	게이트중첩엘디디구조씨모스장치의제조방법	새창보기
[KST2015077357][한국전자통신연구원]	트렌치 드레인 구조를 갖는 전력소자	새창보기
[KST2015096330][한국전자통신연구원]	다층 금속배선 기술을 이용한 모스트랜지스터 내장형 인덕터 소 자	새창보기
[KST2015096332][한국전자통신연구원]	전자빔 승화 및 산화를 이용한 단전자 트랜지스터의제조 방법.	새창보기
[KST2015097435][한국전자통신연구원]	ＦｉｎＦＥＴ 및 Fin 채널 제조방법	새창보기
[KST2015093831][한국전자통신연구원]	실리콘 집적 회로와 실리콘 광소자가 집적된 모놀리식 집적복합 소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015097563][한국전자통신연구원]	집적형 인덕터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015100459][한국전자통신연구원]	초고집적혼합형반도체장치의제조방법	새창보기
[KST2016016468][한국전자통신연구원]	반도체 소자(Semiconductor device)	새창보기
[KST2015073640][한국전자통신연구원]	엘디디구조씨모스장치의제조방법	새창보기
[KST2015075504][한국전자통신연구원]	자기정렬 T-형 게이트의 형성방법	새창보기
[KST2015089744][한국전자통신연구원]	하부 인덕터를 포함하는 실리콘 인터포저	새창보기
[KST2015092265][한국전자통신연구원]	디스플레이 소자, 그 제조 방법, 및 이미지 센서 소자의 제조방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.