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기판을 준비하는 것;상기 기판에 힘을 가하여 상기 기판에 수평으로 늘리는 것;상기 기판 상에 표면처리 공정을 실시하여 복수의 곡면들을 갖는 제 1 영역을 형성하는 것; 및상기 제 1 영역에 전극을 형성하는 것을 포함하는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 표면처리 공정은 UV-O3, O2 플라즈마 공정, 및 스퍼터링 플라즈마 공정 중 어느 하나인 전자소자의 장착인 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 기판 상에 표면처리 공정을 실시하여 상기 곡면들을 갖는 상기 제 1 영역을 형성하는 것은,상기 기판 상에 개구부를 갖는 마스크를 배치하는 것; 및상기 마스크 상에 상기 표면처리 공정을 실시하여 상기 개구부에 노출된 상기 기판의 상기 제 1 영역의 표면을 활성화시키는 것을 포함하는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 영역의 표면을 활성화시키는 것은,상기 기판의 상기 제 1 영역을 소수성에서 친수성으로 표면개질 시키는 것을 포함하는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 곡면들은 일정한 형태의 폭을 가지고, 일정한 주기로 반복되는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 곡면들의 폭은 상기 표면처리 공정의 플라즈마 세기가 클수록, 그리고 상기 플라즈마 처리 시간이 길어질수록 넓어지는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판에 힘을 가하여 상기 기판에 수평으로 늘리는 것은,늘리기 전의 상기 기판의 가로길이 보다 1% 내지 40% 더 늘리는 것을 포함하는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역에 상기 전극을 형성하는 것은,상기 제 1 영역 상에 금속물질을 상기 곡면들을 따라 컨포말하게 도포하는 것을 포함하는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전극은 텅스텐(W), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함하는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 제 2 영역을 더 포함하되,상기 제 2 영역은 상기 표면처리 공정에 노출되지 않은 영역으로, 상기 제 2 영역 상에 전자소자가 형성되는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역에 상기 전극을 형성한 후에 상기 기판에 가했던 힘을 제거하는 것을 포함하는 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
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