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중첩된 펄스들을 출력하는 게이트 드라이버 회로

  • 기술번호 : KST2015092399
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 드라이버 회로는 복수의 스테이지들을 포함하고, 각각의 스테이지는 다이오드 커넥션을 이루는 두 개의 입력 트랜지스터로 구성된 입력부, 풀-업 트랜지스터와 부트스트랩 커패시터로 구성된 풀-업부, 각각 두 개의 트랜지스터로 구성된 제 1 및 제 2 풀-다운부를 포함한다. 실시 예에 따라서, 입력부 및 풀-업부 사이의 노드에 연결된 입력 커패시터를 더 포함할 수 있다. 그리고, 출력 단자에 연결되어 하이 상태나 로우 상태의 출력 신호를 다음 스테이지로 전송하도록 구성된 캐리부를 더 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 공핍 모드 특성을 갖는 산화물 박막 트랜지스터를 안정적으로 동작시킬 수 있고, 소비 전력도 감소시킬 수 있다. 또한, 게이트 드라이버 회로의 각 스테이지의 출력 파형이 이전 스테이지의 출력 파형과 절반씩 중첩되게 출력함으로써 픽셀의 충전 시간을 늘릴 수 있다.
Int. CL G09G 3/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130155593 (2013.12.13)
출원인 한국전자통신연구원, 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0069317 (2015.06.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 피재은 대한민국 경기 성남시 분당구
2 박상희 대한민국 대전 유성구
3 유민기 대한민국 대전 유성구
4 황치선 대한민국 대전 유성구
5 권오상 대한민국 대전 유성구
6 박은숙 대한민국 대전광역시 중구
7 박기찬 대한민국 경기도 성남시 분당구
8 김연경 대한민국 대전 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1143975-19
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048858-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
순차적으로 연결되는 복수의 스테이지들를 포함하는 게이트 드라이버 회로에 있어서, 제 N 스테이지는(N은 자연수):제 N-1 스테이지로부터 전달되는 제 1 캐리 신호, 및 제 1 클럭 신호에 응답하여 상기 제 1 캐리 신호를 제 1 노드로 전달하는 입력부; 그리고상기 제 1 노드에서의 신호의 레벨에 따라 입력 신호를 풀-업시켜 출력 단자로 전달하는 풀-업부를 포함하되,상기 풀-업부는 상기 제 1 노드와 상기 출력 단자 사이에 제공되어, 상기 제 1 노드에서의 신호의 레벨을 하이 레벨로 부트스트래핑 시키는 부트스트랩 커패시터를 포함하는 게이트 드라이버 회로
2 2
제 1 항에 있어서,상기 입력부는:상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 상기 제 1 캐리 신호를 전달하는 제 1 입력 트랜지스터; 그리고상기 제 1 캐리 신호에 응답하여 상기 제 1 캐리 신호를 상기 제 1 노드로 전달하는 제 2 입력 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 입력 트랜지스터는 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 연결되는 게이트 드라이버 회로
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 N 스테이지로 입력되는 상기 입력 신호는 상기 제 N-1 스테이지로 입력되는 상기 입력 신호보다 지연되고, 상기 제 N 스테이지로 입력되는 상기 입력 신호는 상기 제 N-1 스테이지로 입력되는 상기 입력 신호와 하이 레벨인 구간이 일부 중첩되는 게이트 드라이버 회로
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1 노드의 신호의 레벨은 상기 제 1 캐리 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이되고 상기 입력 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이되는 지점에서 부트스트래핑 되는 게이트 드라이버 회로
5 5
제 4 항에 있어서,상기 풀-업부는:상기 제 1 노드에서의 신호의 레벨에 응답하여 상기 입력 신호를 상기 출력 단자로 전달하는 풀-업 트랜지스터를 포함하는 게이트 드라이버 회로
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 입력 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제 1 노드 사이에 연결되어, 용량 결합에 의해 상기 제 1 노드의 전압을 낮추는 입력 커패시터를 더 포함하는 게이트 드라이버 회로
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 노드를 접지시키는 제 1 풀-다운부; 그리고상기 출력 단자를 접지시키는 제 2 풀-다운부를 더 포함하는 게이트 드라이버 회로
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 풀-다운부는:상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 상기 제 1 노드의 신호를 전달하는 제 1 풀-다운 트랜지스터; 그리고상기 제 N+2 스테이지로부터 전달되는 제 2 캐리 신호에 응답하여, 상기 제 1 풀-다운 트랜지스터로부터 전달된 신호를 접지시키는 제 2 풀-다운 트랜지스터를 포함하는 게이트 드라이버 회로
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제 2 풀-다운부는:상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 단자를 접지시키는 제 3 풀-다운 트랜지스터; 그리고커플링 커패시터를 통하여 제 2 노드로 전달되는 제 2 캐리 신호, 또는 풀-다운 커패시터를 통하여 상기 제 2 노드로 전달되는 상기 입력 신호에 응답하여 상기 출력 단자를 접지시키는 제 4 풀-다운 트랜지스터를 포함하는 게이트 드라이버 회로
10 10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 상기 제 2 노드를 접지시키는 트랜지스터를 더 포함하는 게이트 드라이버 회로
11 11
제 9 항에 있어서,상기 커플링 커패시터의 용량 결합과 상기 풀-다운 커패시터에서의 용량 결합은 상쇄되는 게이트 드라이버 회로
12 12
제 10 항에 있어서,상기 출력 단자에 연결되어, 상기 출력 단자의 신호를 상기 제 N-2 및 제 N+1 스테이지로 전달하거나, 전원 전압으로 전달하는 캐리부를 더 포함하는 게이트 드라이버 회로
13 13
제 12 항에 있어서,상기 캐리부는:상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 단자에서의 신호를 제 3 노드로 전달하는 제 1 캐리 트랜지스터; 그리고제 3 클럭 신호에 응답하여 상기 제 3 노드에서의 신호를 상기 전원 전압으로 전달하는 제 2 캐리 트랜지스터를 포함하되,상기 제 3 노드에서의 신호는 상기 제 N-2 및 제 N+1 스테이지로의 입력부로 전달되는 제 3 캐리 신호인 게이트 드라이버 회로
14 14
제 13 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 캐리 신호의 크기와 주기는 같고,상기 제 3 캐리 신호는 상기 제 1 캐리 신호보다 1/6 주기만큼 지연되고, 상기 제 2 캐리 신호는 상기 제 3 캐리 신호보다 1/3 주기만큼 지연되는 게이트 드라이버 회로
15 15
제 13 항에 있어서,상기 전원 전압은 접지 전압보다 낮은 게이트 드라이버 회로
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20150171833 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015171833 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산업원천기술개발사업(디스플레이) 고품위 Plastic AMOLED 원천기술 개발