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산화물 박막 트랜지스터를 이용한 ＤＣ-ＤＣ 컨버터

  • 기술번호 : KST2014032328
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면 산화물 박막 트랜지스터를 이용하여 디스플레이 패널에 내장이 가능하면서 양전압과 음전압을 제공할 수 있는 고효율의 DC-DC 컨버터를 구현할 수 있으므로, 디스플레이 구동 장치의 소형화 및 제조 비용의 감소를 도모할 수 있다.DC-DC, 디스플레이, 구동, 산화물 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 27/32 (2006.01.01) H02M 3/145 (2006.01.01) G09G 3/20 (2006.01.01)
CPC H01L 27/3262(2013.01) H01L 27/3262(2013.01) H01L 27/3262(2013.01)
출원번호/일자 1020090090026 (2009.09.23)
출원인 한국전자통신연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1220451-0000 (2013.01.03)
공개번호/일자 10-2011-0032503 (2011.03.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.23)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변춘원 대한민국 대전광역시 유성구
2 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시 유성구
4 권오경 대한민국 서울시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0584190-11
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0606604-67
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1008422-71
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-1008415-51
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0779134-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 내지 제6 노드에 각각 연결된 제1 내지 제6 펌핑 캐패시터;출력단자에 연결된 제7 노드와 접지단자 사이에 연결된 저장 캐패시터;전압 입력단자와 상기 제1 내지 제4 노드 사이에 각각 연결된 제1 내지 제4 산화물 박막 트랜지스터;상기 제1, 2 펌핑 캐패시터에 의해 각각 커플링된 비반전 클럭신호를 상기 제5 노드로 전달하는 제5 산화물 박막 트랜지스터;상기 제3, 4 펌핑 캐패시터에 의해 각각 커플링된 반전 클럭신호를 상기 제6 노드로 전달하는 제6 산화물 박막 트랜지스터; 및상기 제5, 6 펌핑 캐패시터에 의해 각각 전달된 반전 클럭신호와 비반전 클럭신호를 상기 제7 노드로 출력하는 다이오드 연결된 제7, 8 산화물 박막 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 노드의 전압이 상기 제5 산화물 박막 트랜지스터를 통해 상기 제5 노드로 전달될 때, 상기 제5 산화물 박막 트랜지스터의 문턱전압으로 인한 전압 손실이 발생되지 않는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1 내지 제8 산화물 박막 트랜지스터는 N형 산화물 박막 트랜지스터이며, 상기 전압 입력단자에 입력된 입력 전압 보다 높은 양전압이 상기 제7 노드에 연결된 출력단자로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 산화물 박막 트랜지스터의 드레인 및 소스는 상기 전압 입력단자 및 상기 제1 내지 제4 노드에 각각 연결되고, 상기 제1, 2 산화물 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제4 노드에 연결되며, 상기 제3, 4 산화물 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제1 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
4 4
제 1항에 있어서,상기 제5 산화물 박막 트랜지스터의 드레인, 게이트 및 소스는 상기 제1 노드, 상기 제2 노드 및 상기 제5 노드에 각각 연결되며, 상기 제6 산화물 박막 트랜지스터의 게이트, 드레인 및 소스는 상기 제3 노드, 상기 제4 노드 및 상기 제6 노드에 각각 연결되는 것을 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
5 5
제 1항에 있어서, 상기 비반전 클럭신호가 하이 레벨이고 상기 반전 클럭신호가 로우 레벨인 경우, 상기 제5 산화물 박막 트랜지스터의 문턱전압 크기의 전압 강하 없이 상기 제1 노드의 전압이 그대로 상기 제5 노드에 전달되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제7 산화물 박막 트랜지스터의 게이트와 드레인은 상기 제5 노드에 공통으로 연결되고, 상기 제8 산화물 박막 트랜지스터의 게이트와 드레인은 상기 제6 노드에 공통으로 연결되며, 상기 제7, 8 산화물 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제7 노드에 공통으로 연결되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
7 7
제1 내지 제4 노드에 각각 연결된 제1 내지 제4 펌핑 캐패시터;출력단자에 연결된 제5 노드와 접지단자 사이에 연결된 저장 캐패시터;입력 전압이 입력되는 전압 입력단자와 상기 제1, 2 노드 사이에 각각 연결된 제1, 2 산화물 박막 트랜지스터;상기 제1 노드에 게이트가 연결되어 상기 제1 펌핑 캐패시터에 입력된 비반전 클럭신호에 따라 상기 입력 전압을 상기 제3 노드로 전달하며, 상기 제1 산화물 박막 트랜지스터를 통해 다이오드 연결된 구조를 갖는 제3 산화물 박막 트랜지스터;상기 제2 노드에 게이트가 연결되어 상기 제2 펌핑 캐패시터에 입력된 반전 클럭신호에 따라 상기 입력 전압을 상기 제4 노드로 전달하며, 상기 제2 산화물 박막 트랜지스터를 통해 다이오드 연결된 구조를 갖는 제4 산화물 박막 트랜지스터; 및상기 제3, 4 펌핑 캐패시터에 의해 상기 제3, 4 노드에 커플링된 비반전 클럭신호와 반전 클럭신호를 상기 제5 노드로 출력하는 제5, 6 산화물 박막 트랜지스터를 포함하며,상기 입력 전압이 상기 제3 산화물 박막 트랜지스터를 통해 상기 제3 노드로 전달될 때, 상기 제3 산화물 박막 트랜지스터의 문턱전압으로 인한 전압 손실이 발생되지 않는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
8 8
제 7항에 있어서,상기 제1 내지 제6 산화물 박막 트랜지스터는 N형 산화물 박막 트랜지스터이며, 상기 전압 입력단자에 입력된 입력 전압 보다 낮은 음전압이 상기 제5 노드에 연결된 출력단자로부터 출력되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
9 9
제 7항에 있어서, 상기 제1, 2 산화물 박막 트랜지스터의 드레인 및 게이트는 상기 전압 입력단자에 각각 연결되고, 소스는 상기 제1, 2 노드에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
10 10
제 7항에 있어서,상기 제3, 4 산화물 박막 트랜지스터의 드레인 및 소스는 상기 전압 입력단자 및 상기 제3, 4 노드에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
11 11
제 7항에 있어서, 상기 비반전 클럭신호가 하이 레벨이고 상기 반전 클럭신호가 로우 레벨인 경우, 상기 제3 산화물 박막 트랜지스터의 문턱전압 크기의 전압 상승 없이 상기 입력 전압이 그대로 상기 제3 노드에 전달되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
12 12
제 7항에 있어서,상기 제5, 6 산화물 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제3, 4 노드에 각각 연결되고, 소스는 상기 제5 노드에 공통으로 연결되고, 상기 제5 산화물 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제4 노드에 연결되며, 상기 제6 산화물 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제3 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터를 이용한 DC-DC 컨버터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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