기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

더블 게이트 트랜지스터를 갖는 시프트 레지스터

기술번호 : KST2015092440
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 실시 예에 따른 더블 게이트 트랜지스터들의 문턱 전압을 보상하는 문턱 전압 감지부를 포함하는 시프트 레지스터에 있어서, 상기 문턱 전압 감지부는: 제 1 감지 트랜지스터; 상기 제 1 감지 트랜지스터의 문턱 전압을 감지하는 감지 커패시터; 그리고 제 2 감지 트랜지스터를 포함하되, 상기 제 2 감지 트랜지스터가 턴-오프 상태일 때 감지된 보상 전압이 더블 게이트 트랜지스터들로 인가될 수 있다. 본 발명에 따르면, 시프트 레지스터의 주요 트랜지스터들을 더블 게이트 트랜지스터로 구성함으로써, 문턱 전압을 조절하여 NBIS 열화 현상으로 인한 시프트 레지스터의 오작동을 방지할 수 있다. 그리고, 게이트 드라이버의 소모 전력도 감소시킬 수 있다.
Int. CL	G09G 3/20 (2006.01) G11C 19/00 (2006.01)
CPC	G09G 3/20(2013.01) G09G 3/20(2013.01) G09G 3/20(2013.01)
출원번호/일자	1020130156329 (2013.12.16)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2015-0069787 (2015.06.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	피재은	대한민국	경기 성남시 분당구
2	황치선	대한민국	대전 유성구
3	박상희	대한민국	대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
최종권리자 정보가 없습니다

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-1148633-82
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0048858-70
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 더블 게이트 트랜지스터들의 문턱 전압을 보상하는 문턱 전압 감지부를 포함하는 시프트 레지스터에 있어서,상기 문턱 전압 감지부는:제 1 클럭 바 신호에 응답하여 제 1 클럭 신호를 전달하는 제 1 감지 트랜지스터;상기 제 1 감지 트랜지스터와 제 1 노드 사이에 연결되어 상기 제 1 감지 트랜지스터의 문턱 전압을 감지하는 감지 커패시터; 그리고제 2 클럭 신호에 응답하여 상기 제 1 노드를 접지시키는, 더블 게이트 트랜지스터인 제 2 감지 트랜지스터를 포함하되, 상기 제 2 감지 트랜지스터가 턴-오프 된 상태에서, 상기 제 1 노드에서 유지되는 보상 전압이 상기 제 2 감지 트랜지스터의 탑 게이트로 인가되는 시프트 레지스터
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 감지 트랜지스터가 턴-온 되는 순간에서의 상기 제 1 감지 트랜지스터의 소스 단자에서의 전압 변화량만큼 상기 제 1 노드의 전압이 변화함으로써, 상기 제 1 노드의 전압이 상기 제 1 감지 트랜지스터의 문턱 전압으로 유지되는 시트프 레지스터
3	3 제 2 항에 있어서,상기 보상 전압은 상기 제 1 감지 트랜지스터의 문턱 전압인 시프트 레지스터
4	4 제 3 항에 있어서,상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 이전 스테이지의 출력 단자로부터 출력된 신호를 제 2 노드로 전달하는 입력부;상기 제 2 노드로 전달된 신호에 응답하여 상기 제 1 클럭 바 신호를 출력 단자로 전달하는 풀-업부; 그리고상기 출력 단자에 연결되고, 상기 출력 단자의 전압이 로우 상태이어야 할 때, 상기 출력 단자를 접지시키는 풀-다운부를 더 포함하는 시프트 레지스터
5	5 제 4 항에 있어서,상기 입력부는:상기 이전 스테이지의 출력 단자로부터 출력된 신호를 상기 제 2 노드로 전달하는, 더블 게이트 트랜지스터인 입력 트랜지스터를 포함하되,상기 입력 트랜지스터가 턴-오프 되는 구간에 상기 보상 전압이 상기 입력 트랜지스터의 탑 게이트에 인가되는 시트프 레지스터
6	6 제 5 항에 있어서,상기 풀-업부는:상기 제 1 클럭 바 신호를 상기 출력 단자로 전달하는, 더블 게이트 트랜지스터인 풀-업 트랜지스터; 그리고상기 제 1 노드와 상기 출력 단자 사이에 연결되어 상기 제 2 노드의 전압을 부트스트래핑시키는 부트스트랩 커패시터를 포함하되,상기 입력 트랜지스터가 턴-오프 되는 구간에 상기 보상 전압이 상기 풀-업 트랜지스터의 탑 게이트에 인가되는 시프트 레지스터
7	7 제 6 항에 있어서,상기 풀-다운부는:상기 제 1 클럭 신호에 응답하여, 상기 입력 트랜지스터가 턴-온 되는 구간에 상기 출력 단자를 접지시키는, 더블 게이트 트랜지스터인 제 1 풀-다운 트랜지스터; 그리고제 3 노드에서의 신호에 응답하여, 출력 단자가 로우 레벨을 유지해야 하는 구간 중, 상기 제 1 풀-다운 트랜지스터가 턴-오프 되는 구간에 턴-온 되어 상기 출력 단자를 접지시키는, 더블 게이트 트랜지스터인 제 2 풀-다운 트랜지스터를 포함하는 시프트 레지스터
8	8 제 7 항에 있어서,상기 제 1 풀-다운 트랜지스터의 탑 게이트에 상기 보상 전압이 인가되고, 상기 제 2 풀-다운 트랜지스터의 탑 게이트에 이전 스테이지의 보상 전압이 인가되는 시프트 레지스터
9	9 제 7 항에 있어서,상기 출력 단자가 로우 레벨을 유지해야 하는 구간 중, 상기 제 1 풀-다운 트랜지스터가 턴-오프 되는 구간에, 상기 제 2 풀-다운 트랜지스터를 턴-온 시키도록 제어하는 풀-다운 제어부를 더 포함하는 시프트 레지스터
10	10 제 9 항에 있어서,상기 풀-다운 제어부는:상기 제 1 클럭 바 신호에 응답하여 전원 전압을 상기 제 3 노드로 전달하는 제 1 풀-다운 제어 트랜지스터; 그리고상기 제 2 노드에서의 신호에 응답하여 상기 제 3 노드의 신호를 접지시키는 제 2 풀-다운 제어 트랜지스터를 포함하는 시프트 레지스터
11	11 제 10 항에 있어서,상기 제 1 풀-다운 제어 트랜지스터의 탑 게이트에 상기 이전 스테이지의 상기 보상 전압이 인가되고, 상기 제 2 풀-다운 제어 트랜지스터의 탑 게이트에 상기 보상 전압이 인가되는 시프트 레지스터
12	12 제 10 항에 있어서,상기 제 2 풀-다운 제어 트랜지스터는 상기 입력 트랜지스터가 턴-오프 되는 구간에 턴-오프 되는 시프트 레지스터
13	13 제 12 항에 있어서,상기 제 1 클럭 신호와 상기 제 1 클럭 바 신호는 서로 위상이 반대이고, 동일한 크기를 갖는 시프트 레지스터

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	서울대학교	산업원천기술개발사업(디스플레이)	고품위 Plastic AMOLED 원천기술 개발

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-1148633-82
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0048858-70
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415131581
세부과제번호	10035225
연구과제명	고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201003~201502
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020130159861]	불소화알킬카보닐을 포함하는 이리듐 착화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전자 발광 소자	새창보기
[1020130156329]	더블 게이트 트랜지스터를 갖는 시프트 레지스터	새창보기
[1020130155593]	중첩된 펄스들을 출력하는 게이트 드라이버 회로	새창보기
[1020130150834]	각도 의존성 광루미네선스 방출 스펙트럼 측정 장치	새창보기
[1020130122884]	원자층 증착법과 플라즈마를 이용한 수분투과방지막 제작	새창보기
[1020130090830]	신규한 전자 끌게-주게-끌게 형의 나프탈렌 다이이미드 저분자 및 이를 이용한 유기전자소자	새창보기
[1020130066693]	디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터 및 이의 제조 방법	새창보기
[1020130049725]	은나노선과 금속산화물을 이용한 투명전극, 투명전극 제조 방법, 이를 이용한 발광 다이오드 및 이의 제조 방법	새창보기
[1020130031246]	고효율과 고명암비를 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치	새창보기
[1020130024781]	패턴형성장치	새창보기
[1020130020537]	세슘카보네이트가 블랜딩된 산화아연 전자수송층이 구비된 유기 태양전지 및 그의 제조방법	새창보기
[1020130020536]	세슘카보네이트가 블랜딩된 산화아연 전자주입·수송층이 구비된 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법	새창보기
[1020130009106]	디스플레이 소자의 구동회로에 사용되는 인버터 및 이의 제조 방법	새창보기
[1020110131467]	고명암비 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치	새창보기
[1020110105115]	산화물 반도체 인버터 및 이를 이용한 디스플레이 구동장치	새창보기
[1020110105114]	산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법, 이에 따라 제조된 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 장치 및 능동구동센서 장치	새창보기
[1020100140552]	인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치	새창보기
[1020100132137]	듀얼 게이트 박막 트랜지스터의 디플리션 모드를 이용한 산화물 반도체 인버터	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015082728][한국전자통신연구원]	액티브-매트릭스 전계 방출 디스플레이 장치	새창보기
[KST2015093594][한국전자통신연구원]	다중화면 디스플레이 시스템 및 이를 위한 영상신호 보정방법	새창보기
[KST2015225762][한국전자통신연구원]	게이트 구동 회로(GATE DRIVING CIRCUIT)	새창보기
[KST2016015944][한국전자통신연구원]	표시 패널, 그것을 포함하는 표시 장치 및 그것의 동작 방법(DISPLAY PANEL, DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME AND OPERATION METHOD THEREOF)	새창보기
[KST2015071429][한국전자통신연구원]	하이브리드 디스플레이 장치 및 그것의 화면 표시 방법	새창보기
[KST2016013970][한국전자통신연구원]	홀로그래픽 표시 장치 및 그 구동 방법(HOLOGRAPHIC DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF DRIVING THE SAME)	새창보기
[KST2015073485][한국전자통신연구원]	레지스터파일IC	새창보기
[KST2015088275][한국전자통신연구원]	문턱전압 보상 회로를 포함하는 픽셀 구동 회로	새창보기
[KST2016016853][한국전자통신연구원]	표시 패널 및 그것을 포함하는 표시 장치(DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS HAVING THEM)	새창보기
[KST2015084867][한국전자통신연구원]	영상 처리 장치 및 영상 처리를 위한 프레임 메모리 관리 방법	새창보기
[KST2015090811][한국전자통신연구원]	적응적 가변 해상도를 제공하는 영상 디스플레이 방법	새창보기
[KST2015099575][한국전자통신연구원]	산화물 박막 트랜지스터 기반의 게이트 드라이버	새창보기
[KST2014032328][한국전자통신연구원]	산화물 박막 트랜지스터를 이용한 ＤＣ-ＤＣ 컨버터	새창보기
[KST2015080540][한국전자통신연구원]	다중 전원 제어 장치	새창보기
[KST2015084062][한국전자통신연구원]	평판 디스플레이 계조 전압 구동 장치	새창보기
[KST2017011037][한국전자통신연구원]	표시 장치 및 타일형 표시 장치.(DISPLAY APPARATUS AND TILED DISPLAY APPARATUS)	새창보기
[KST2015051555][한국전자통신연구원]	능동형 유기발광다이오드 픽셀회로 및 그의 구동방법	새창보기
[KST2015092399][한국전자통신연구원]	중첩된 펄스들을 출력하는 게이트 드라이버 회로	새창보기
[KST2015051533][한국전자통신연구원]	유기발광 다이오드 표시장치	새창보기
[KST2015093283][한국전자통신연구원]	산화물 박막 트랜지스터를 이용한 레벨 시프터 및 이를 포함하는 스캔 구동회로	새창보기
[KST2015100317][한국전자통신연구원]	표시 장치 및 그것의 구동 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.