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전송 선로에 병렬 접지로 연결된 적어도 하나 이상의 반도체 소자; 및상기 전송 선로에 직렬로 연결된 적어도 하나 이상의 인덕터를 포함하고,상기 반도체 소자가 단락되면,상기 인덕터는,상기 반도체 소자와 상호 작용하여 임피던스 정합하는마이크로파 스위치
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는,상기 단락에 연동하여, 상기 전송 선로에 입력된 신호를 접지시켜, 상기 전송 선로에서의 상기 신호 출력을 제한하는마이크로파 스위치
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는,전계 효과 트랜지스터(FET; Field Effect Transistor)인마이크로파 스위치
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자 및 상기 인덕터가 복수 개일 경우,상기 반도체 소자 및 상기 인덕터는,교대로 위치하는마이크로파 스위치
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제4항에 있어서,상기 복수 개의 반도체 소자는,상기 전송 선로를 기준으로 상위 또는 하위에 나란히 위치하는마이크로파 스위치
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제4항에 있어서,상기 복수 개의 반도체 소자는,상기 전송 선로를 기준으로 상위 및 하위에 마주하여 쌍으로 나란히 위치하는마이크로파 스위치
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전송 선로에, 적어도 하나 이상의 반도체 소자를 병렬 접지로 연결하는 단계;상기 전송 선로에, 적어도 하나 이상의 인덕터를 직렬로 연결하는 단계; 및상기 반도체 소자가 단락되면, 상기 인덕터와 상기 반도체 소자 사이에 임피던스 정합하는 단계를 포함하는 마이크로파 스위치의 제작 방법
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제7항에 있어서,상기 반도체 소자에서, 상기 단락에 연동하여, 상기 전송 선로에 입력된 신호를 접지시켜, 상기 전송 선로에서의 상기 신호 출력을 제한하는 단계를 더 포함하는 마이크로파 스위치의 제작 방법
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제7항에 있어서,상기 반도체 소자는,전계 효과 트랜지스터(FET; Field Effect Transistor)인마이크로파 스위치의 제작 방법
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제7항에 있어서,상기 반도체 소자 및 상기 인덕터가 복수 개일 경우,상기 반도체 소자 및 상기 인덕터는,교대로 위치하는마이크로파 스위치의 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 반도체 소자를 병렬 접지로 연결하는 단계는,상기 복수 개의 반도체 소자를 상기 전송 선로를 기준으로 상위 또는 하위에 나란히 위치시키는 단계를 포함하는 마이크로파 스위치의 제작 방법
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제10항에 있어서,상기 반도체 소자를 병렬 접지로 연결하는 단계는,상기 복수 개의 반도체 소자를 상기 전송 선로를 기준으로 상위 및 하위에 마주하여 쌍으로 나란히 위치시키는 단계를 포함하는 마이크로파 스위치의 제작 방법
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