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기판을 챔버에 로딩하는 단계;바나듐-유기금속화합물 가스를 상기 챔버에 주입하여, 표면포화 흡착에 의하여 균일하게 상기 기판의 상면에 바나듐을 포함하는 흡착물을 형성시키는 단계;흡착되지 않은 상기 바나듐-유기금속화합물 증기를 제거하기 위하여, 상기 챔버에 비활성 가스를 주입하는 단계; 및 상기 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응시켜 바나듐이산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 Si, 유리(glass) 및 수정(quartz) 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판의 직경은 8인치(inch) 이상인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 바나듐-유기금속화합물에서 상기 바나듐의 원자가는 +3, +4 및 +5 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 원자가가 +4인 바나듐-유기금속화합물은 테트라디에틸아미노바나듐(V(NEt2)4), 테트라에틸메틸아미노바나듐(V{N(EtMe)}4) 및 테트라디메틸아미노바나듐(V(NMe2)4)중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 원자가가 +5인 바나듐-유기금속화합물은 트리에틸메틸아미노옥시바나듐(VO{N(EtMe)}3), 트리디메틸아미노옥시바나듐(VO(NMe2)3), 트리메톡시옥시바나듐(VO(OMe)3), 트리에톡시옥시바나듐(VO(OEt)3), 트리프로폭시옥시바나듐(VO(OC3H7)3) 및 트리할로겐옥시바나듐(VOX3)(X=Cl, F, Br, I) 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 바나듐-유기금속화합물은 트리할로겐바나듐(VX3)(X=Cl, F, Br, I), 테트라할로겐바나듐(VX4)(X=Cl, F, Br, I), 바나듐헥사카르보닐, 바나듐2,4-펜타디오네이트, 바나듐아세톤아세토네이트 및 싸이클로펜타디에닐바나듐테트라카르보닐 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 바나듐-유기금속화합물의 증기압이 0
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제1항에 있어서, 상기 반응온도는 100℃ ~ 350℃인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반응온도는 350℃ ~ 500℃ 인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 바나듐-유기금속화합물은 할로겐화바나듐인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산소-전구체는 산화제 기체, 물(H2O) 및 산소 플라즈마 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 바나듐-유기금속화합물 가스를 주입하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 상기 바나듐이산화물의 격자상수와 결정성을 향상시킬 수 있는 격자상수를 가진 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 버퍼층은 산화알루미늄막, 산화실리콘막, 유전율을 가진 절연막 및 결정성 금속막 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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15
제1항에 있어서, 상기 바나듐이산화물 박막을 형성한 단계 이후에,상기 바나듐이산화물 박막을 인-시츄 방식에 의해 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 열처리는 상기 챔버에서 실시하거나 상기 동일한 분위기가 형성된 상기 챔버와 이웃하는 챔버에서 실시하되 이웃챔버로 이동하는 분위기는 진공이거나 비활성 가스 분위기인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 챔버에 산소-전구체를 소정의 시간 동안 플라즈마로 상태로 변화시켜 주입시키는 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 플라즈마 상태는 상기 산소-전구체가 주입되는 시간과 동일하거나 짧은 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 플라즈마를 형성하는 방식은 상기 챔버 내에서 직접 인가하여 표면을 플라즈마에 직접 노출시키거나 이웃하는 챔버에서 상기 플라즈마에 의해 발생한 반응성 입자를 상기 챔버에 주입하여 활용하는 리모트 방식 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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Si 기판을 챔버에 로딩하는 단계;테트라에틸메틸아미노바나듐(V{N(C2H5CH3)}4: TEMAV) 가스를 상기 챔버에 주입하여, 표면포화 흡착에 의하여 상기 Si 기판의 상면에 바나듐을 포함하는 흡착물을 형성시키는 단계;흡착되지 않는 상기 TEMAV 가스를 제거하기 위하여, 상기 챔버에 비활성 가스를 주입하는 단계;상기 챔버에 H2O를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응시켜 바나듐이산화물 박막을 형성하는 단계; 및잔존하는 반응부산물을 제거하기 위하여, 상기 챔버에 비활성 가스를 주입하는 단계를 포함하고,상기 포화흡착 및 포화반응을 반복하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 Si 기판의 직경은 8인치 이상인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 TEMAV 가스가 상기 기판에 흡착되고 표면 포화반응에 의해 박막을 형성하는 반응온도는 100℃ ~ 170℃인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 TEMAV 가스를 주입하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 상기 바나듐이산화물의 격자상수와 결정성을 향상시킬 수 있는 격자상수를 가진 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 바나듐이산화물 박막을 형성한 단계 이후에,상기 바나듐이산화물 박막을 인-시츄 방식에 의해 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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Si 기판을 챔버에 로딩하는 단계;테트라에틸메틸아미노바나듐(V{N(C2H5CH3)}4: TEMAV) 가스를 상기 챔버에 주입하여, 표면포화반응에 의하여 상기 Si 기판의 상면에 바나듐을 포함하는 흡착물을 형성시키는 단계;흡착되지 않은 상기 TEMAV 가스를 제거하기 위하여, 상기 챔버에 비활성 가스를 주입하는 단계;상기 챔버에 산소-전구체를 소정의 시간 동안 플라즈마로 상태로 변화시켜 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응시켜 바나듐이산화물 박막을 형성하는 단계; 및잔존하는 반응부산물을 제거하기 위하여, 상기 챔버에 비활성 가스를 주입하는 단계를 포함하고, 상기 포화흡착 및 포화반응을 반복하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제25항에 있어서, 상기 Si 기판의 직경은 8인치 이상인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제25항에 있어서, 상기 TEMAV 증기가 상기 기판에 흡착되고 표면 포화반응에 의해 박막을 형성하는 반응온도는 100℃ ~ 170℃인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제25항에 있어서, 상기 플라즈마 상태는 상기 산소-전구체가 주입되는 시간과 동일하거나 짧은 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제25항에 있어서, 상기 플라즈마를 형성하는 방식은 상기 챔버 내에서 직접 인가하여 표면을 플라즈마에 직접 노출시키거나 이웃하는 챔버에서 상기 플라즈마에 의해 발생한 반응성 입자를 상기 챔버에 주입하여 활용하는 리모트 방식 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제25항에 있어서, 상기 TEMAV 가스를 주입하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 상기 바나듐이산화물의 격자상수와 결정성을 향상시킬 수 있는 격자상수를 가진 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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제25항에 있어서, 상기 바나듐이산화물 박막을 형성한 단계 이후에,상기 바나듐이산화물 박막을 인-시츄 방식에 의해 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 바나듐이산화물 박막의 제조방법
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