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실리콘 집적 회로 형성 영역과 실리콘 광소자 형성 영역으로 구획된 실리콘 기판;상기 실리콘 광소자 형성 영역의 실리콘 기판 내에는 국부적인 부분에 형성되고 단위 소자를 분리하는 매몰 산화층;상기 매몰 산화층 상에는 국부적으로 형성된 실리콘 오버레이층;상기 실리콘 오버레이층 상에는 선택적으로 형성된 실리콘 에피층;상기 실리콘 에피층을 이용하여 상기 실리콘 광소자 형성 영역에 형성된 실리콘 광소자;상기 실리콘 집적 회로 형성 영역의 실리콘 기판에 형성된 실리콘 집적 회로; 및 상기 실리콘 집적 회로와 실리콘 광소자 사이, 상기 실리콘 광소자들 사이 또는 상기 실리콘 집적회로들 사이를 연결하는 배선으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 광소자는 광도파로, 공진기, 변조기, 멀리플렉서, 디멀티플렉서, 레이저 다이오드 및 포토다이오드 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 집적 회로는 MOSFET, CMOS, BJT, HBT와 같은 능동형 전자 소자, 저항, 커패시터 및 인덕터와 같은 수동형 전자 소자, 및 이들의 조합으로 구성된 전자 회로 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 집적 회로와 실리콘 광소자 사이, 또는 실리콘 집직회로들 사이의 배선은 금속 배선으로 연결하고, 상기 실리콘 광소자들간의 배선은 광배선으로 연결하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자
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실리콘 집적 회로 형성 영역과 실리콘 광소자 형성 영역으로 구획된 실리콘 기판;상기 실리콘 집적 회로 형성 영역의 실리콘 기판에 형성된 실리콘 집적 회로;상기 실리콘 광소자 형성 영역의 실리콘 기판에 형성된 실리콘 광소자;상기 실리콘 집적 회로 및 실리콘 광소자를 연결하는 배선으로 이루어지되, 상기 실리콘 광소자 형성 영역의 실리콘 기판 내에는 국부적인 부분에 단위 소자를 분리하는 매몰 산화층이 형성되어 있고, 상기 매몰 산화층 상에는 국부적으로 실리콘 오버레이층이 형성되어 있고, 상기 오버레이층 상에는 선택적으로 실리콘 에피층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자
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제5항에 있어서, 상기 실리콘 광소자는 상기 매몰 산화층을 하부 클래드층으로 구성하고, 상기 실리콘 오버레이층 및 실리콘 에피층은 코어층으로 구성하고, 상기 실리콘 에피층 상의 공기를 상부 클래드층으로 구성한 광도파로인 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자
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실리콘 집적 회로 형성 영역과 실리콘 광소자 형성 영역으로 구획된 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 실리콘 광소자 형성 영역의 일부분을 오픈하는 홀을 갖는 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 홀 내의 실리콘 기판에 산소 이온을 주입하는 단계; 상기 홀 내에 주입된 산소 이온을 열처리하여 활성화시킴으로써 상기 실리콘 기판 내에 단위 소자를 분리하게 국부적으로 매몰 산화층을 형성함과 아울러 상기 매몰 산화층 상에는 실리콘 오버레이층이 형성되는 단계;상기 실리콘 오버레이층 상에 선택적으로 실리콘 에피층을 형성하는 단계;상기 하드 마스크 패턴을 제거하는 단계;상기 실리콘 에피층을 이용하여 상기 실리콘 광소자 형성 영역에 실리콘 광소자를 형성하는 단계;상기 실리콘 집적 회로 형성 영역의 실리콘 기판에 실리콘 집적 회로를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 집적 회로와 실리콘 광소자 사이, 실리콘 광소자들 사이 또는 실리콘 집적회로들 사이를 연결하는 배선을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 매몰 산화층을 형성하기 전에, 상기 산소 이온 주입시 상기 실리콘 기판의 결정 결함을 줄이기 위해 상기 홀 내에 완충막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 하드 마스크 패턴은 금속막이나 유전체막으로 구성된 단일막 또는 이들의 이중막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 실리콘 오버레이층 형성 후에, 실리콘 오버레이층의 결정성 회복을 위해 800℃ 내지 실리콘 융점 온도 범위에서 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 실리콘 에피층은, 선택적 에피 성장법(SEG)을 이용하여 상기 실리콘 오버레이층 상에서만 선택적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 모놀리식 집적 복합 소자의 제조방법
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