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아날로그 반도체소자 제조방법
- 기술번호 : KST2015094330
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 아날로그 CMOS IC(집적회로: integrated circuits)에는 CMOS 소자와 수동소자(저항, 캐패시터 등)가 포함된다. 아날로그 CMOS IC를 제조하는 방법은 CMOS 소자를 제작한 후 수동소자를 제작하는 방법과 다결정실리콘을 이용하여 저항과 캐패시터의 하층 전극을 먼저 형성한 후에 캐패시터 절연막을 형성하고 게이트 절연막을 성장시킨 후 게이트 전극을 형성하여 CMOS 소자와 다결정실리콘 캐패시터를 제작하는 방법이 있다. 후자의 방법은 저항 소자를 먼저 제작하고 CMOS 소자를 제작함으로서 수동소자를 제작할 때 CMOS 소자에 미치는 영향을 줄일 수 있지만, 전체 공정이 복잡해질 뿐만아니라 CMOS 소자의 균일성과 재현성에 문제가 발생된다. 전자는 CMOS 소자를 제작하고 수동소자를 제작하기 때문에 CMOS 소자의 특성의 재현성과 균일성이 우수하게 할 수 있으나, 수동소자를 제작할 때 CMOS 소자에 영향을 미칠 수 있게 된다.따라서 본 발명에서는 아날로그 CMOS IC 제조공에 있어서 CMOS 소자의 특성을 나쁘게 하지 않고 수동소자를 제작하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 CMOS 소자를 제작한 후에 산소나 기타 불순물이 투과되지 않는 질화막을 소자가 형성되는 전면에 증착후에 수동소자인 캐패시터가 형성되는 부분의 질화막을 제거하고 캐패시터 절연막을 형성한 다음에 저항과 다결정실리콘 캐패시터의 상층 전극인 다결정실리콘을 증착하여 수동소자를 제작하는 것이다. 이 방법은 캐패시터 절연막을 형성하기 위하여 다결정실리콘을 산화시키거나 저압화학증착법으로 절연막을 증착시킬 때 CMOS 소자 채널 가장자리에 산화막이 성장되거나 소자에 불순물이 도입되어 소자의 특성이 나빠지는 것을 억제할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/02 (2006.01) |
| CPC | H01L 27/0629(2013.01) H01L 27/0629(2013.01) H01L 27/0629(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1019960069287 (1996.12.20) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0233264-0000 (1999.09.10) |
| 공개번호/일자 | 10-1998-0050464 (1998.09.15) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (19991201) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1996.12.20) |
| 심사청구항수 | 3 |