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염료 감응 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015094440
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 염료 감응 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 염료감응 태양전지는 서로 이격된 하부 기판 및 상부 기판, 하부 기판 상에 배치된 반도체 전극층, 반도체 전극층의 표면에 흡착된 염료층 및 하부 및 상부 기판들 사이에 배치되는 전해질 용액을 포함한다. 이때, 반도체 전극층에 인접한 하부 기판의 상부 표면은 반도체 전극층과의 접촉 면적을 증가시킬 수 있는 적어도 하나의 홈을 갖도록 형성된다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070104921 (2007.10.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0921754-0000 (2009.10.07)
공개번호/일자 10-2009-0039340 (2009.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20091015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤호경 대한민국 서울 마포구
2 전용석 대한민국 대전 유성구
3 강만구 대한민국 대전 유성구
4 이승엽 대한민국 경북 경산시
5 박헌균 대한민국 대전 유성구
6 박종혁 대한민국 대전 유성구
7 김종대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0745222-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062094-45
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0106252-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0211069-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0430519-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0430518-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0389167-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 이격된 하부 기판 및 상부 기판; 산화물 반도체 입자들을 포함하면서, 상기 하부 기판 상에 배치된 반도체 전극층; 상기 산화물 반도체 입자들의 표면에 흡착된 염료층; 및 상기 하부 및 상부 기판들 사이에 배치되는 전해질 용액을 포함하되, 상기 하부 기판은 금속들 중의 적어도 한가지이고, 상기 반도체 전극층에 인접한 상기 하부 기판의 상부 표면은 상기 반도체 전극층과의 접촉 면적을 증가시킬 수 있는 적어도 하나의 구조를 갖고, 상기 구조는 상기 산화물 반도체 입자의 폭보다 큰 깊이 및 너비를 가짐으로써, 상기 구조 내에는 수평적 및 수직적으로 복수의 산화물 반도체 입자들이 배치되는 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양전지
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 하부 기판과 상기 반도체 전극층 사이에 개재되어, 상기 하부 기판의 상부 표면에 형성된 구조의 내벽을 덮는 차단막을 더 포함하는 염료 감응 태양전지
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 차단막은 산화물 반도체 물질들 중의 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 전극층은 복수개의 산화물 반도체 입자들을 포함하되, 상기 구조의 크기는 적어도 상기 산화물 반도체 입자의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양전지
6 6
금속들 중의 적어도 한가지로 이루어진 하부 기판의 상부 표면에, 그 표면적을 증대시키는 적어도 하나의 구조를 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 구조가 형성된 하부 기판 상에, 산화물 반도체 입자들을 포함하는 반도체 전극층을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체 입자들의 표면에 염료층을 흡착시키는 단계; 상기 염료층이 형성된 결과물 상부에 상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판을 배치하는 단계; 및 상기 하부 및 상부 기판 사이에 전해질 용액을 주입하는 단계를 포함하되, 상기 구조는 상기 산화물 반도체 입자의 폭보다 큰 깊이 및 너비를 갖도록 형성됨으로써, 상기 구조 내에는 수평적 및 수직적으로 복수개의 산화물 반도체 입자들이 배치되는 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양전지의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 하부 기판의 상부 표면에 적어도 하나의 구조를 형성하는 단계는 상기 하부 기판과 화학적으로 반응할 수 있는 화학 물질을 사용하여 상기 하부 기판의 상부면을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양전지의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 하부 기판의 상부 표면에 적어도 하나의 구조를 형성하는 단계는 상기 하부 기판의 상부면을 산성 용액으로 부식시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양전지의 제조 방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 반도체 전극층을 형성하기 전에, 상기 적어도 하나의 구조가 형성된 상기 하부 기판의 표면에 차단막을 형성하는 단계를 더 포함하는 염료 감응 태양전지의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 차단막을 형성하는 단계는 전기 영동 기술 및 전기 도금 기술 중의 적어도 한가지를 사용하여, 상기 적어도 하나의 구조가 형성된 상기 하부 기판의 표면에 상기 차단막을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양전지의 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 차단막을 형성하는 단계는 상기 적어도 하나의 구조가 형성된 상기 하부 기판의 표면에 금속 또는 금속 전구체를 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 금속 또는 금속 전구체를 애노다이징 기술 또는 열산화 기술을 사용하여 산화시킴으로써, 상기 차단막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양전지의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02051266 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02051266 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP21099569 JP 일본 FAMILY
4 US20090101198 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2051266 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2051266 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2009099569 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2009101198 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈