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단일모드 발진을 위한 하이브리드 레이저 다이오드 및 그제조 방법

  • 기술번호 : KST2015094540
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단일모드 발진을 위한 하이브리드 레이저 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 이 하이브리드 레이저 다이오드는 실리콘층, 실리콘층 상에 배치되는 활성 패턴, 그리고 실리콘층 및 활성 패턴 사이에 배치되는 본딩막을 구비한다. 이때, 본딩막은 브래그 격자를 구성하는 회절 패턴들을 구비한다.
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01.01) H01S 3/10 (2023.01.01)
CPC H01S 3/0941(2013.01) H01S 3/0941(2013.01)
출원번호/일자 1020070128857 (2007.12.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0958719-0000 (2010.05.11)
공개번호/일자 10-2009-0061873 (2009.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.12)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임영안 대한민국 대전 유성구
2 김기수 대한민국 대전 유성구
3 송정호 대한민국 대전 유성구
4 권오균 대한민국 대전 유성구
5 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)엘디스 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0892498-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051239-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0390713-97
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0714242-58
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0714238-75
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0116872-02
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘층; 상기 실리콘층 상에 배치되는 활성 패턴; 및 상기 실리콘층 및 상기 활성 패턴 사이에 배치되는 본딩막을 구비하되, 상기 본딩막은 브래그 격자를 구성하는 회절 패턴들을 구비하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 본딩막의 회절 패턴들은 상기 실리콘층을 노출시키는 개구부들을 정의하도록 형성되되, 상기 개구부들은, 상기 하이브리드 레이저 다이오드에서 생성되는 빛의 파장에 상응하는, 브래그 조건을 충족시키는 간격 및 배치를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 개구부들은 상기 본딩막보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 채워지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 본딩막은 상기 실리콘층 및 상기 활성 패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 본딩막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 본딩막의 두께는 10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 회절 패턴의 커플링 계수는 20 내지 100cm-1이고, 상기 회절 패턴의 커플링 계수는 상기 본딩막의 두께, 상기 본딩막의 굴절률 및 상기 회절 패턴이 형성되는 본딩막의 폭 중의 적어도 하나를 제어함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 본딩막은 상기 활성 패턴으로부터 연장되어 상기 활성 패턴 주변의 상기 실리콘층을 덮도록 형성되되, 상기 회절 패턴이 형성되는 본딩막의 폭은 상기 활성 패턴보다 넓거나 같은 것을 특징으로 하이브리드 레이저 다이오드
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘층은 슬랩 도파로로 사용되고, 상기 활성 패턴은 채널 도파로로 사용되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘층은 채널 도파로로 사용되고, 상기 활성 패턴은 슬랩 도파로로 사용되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
11 11
실리콘층 및 상기 실리콘층 상에 배치되는 화합물 반도체 패턴을 구비하는 하이브리드 레이저 다이오드에 있어서, 상기 실리콘층 및 상기 화합물 반도체 패턴 사이에 형성된 공진 구조체를 구비하되, 상기 공진 구조체는 상기 실리콘층 및 상기 화합물 반도체 패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 물질들로 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 공진 구조체는, 상기 하이브리드 레이저 다이오드가 단일 모드의 레이저를 생성할 수 있도록, 20 내지 100cm-1의 커플링 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 실리콘층을 노출시키는 개구부들를 정의하면서 상기 실리콘층 및 상기 화합물 반도체 패턴 사이에 개재되는 본딩막을 더 포함하되, 상기 개구부들을 갖는 상기 본딩막은 상기 공진 구조체로 사용되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 개구부들은 상기 하이브리드 레이저 다이오드에서 생성되는 빛의 파장에 상응하는 브래그 조건을 충족시키는 배열 및 간격을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 개구부들은 상기 본딩막보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 채워짐으로써, 상기 개구부들은 광학적 피드백을 제공하는 브래그 격자를 구성하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드
16 16
실리콘층을 갖는 기판을 준비하는 단계; 상기 실리콘층 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 산화막을 본딩막으로 사용하여 상기 기판 상에 화합물 반도체층을 부착하는 단계; 및 상기 화합물 반도체층을 패터닝하여 활성 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 실리콘 산화막을 형성하는 단계는 브래그 격자를 구성하는 개구부들을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 개구부들은 상기 브래그 격자가 단일 모드 발진을 위한 커플링 계수를 갖도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 개구부들은 상기 실리콘 산화막보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 채워지고, 상기 실리콘 산화막을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 산화막이 상기 단일 모드 발진을 위한 커플링 계수의 조건을 충족시키는 두께 및 폭을 갖도록, 상기 실리콘 산화막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 레이저 다이오드의 제조 방법
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2 US7974326 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC