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자기정렬형 게이트 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015095082
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온주입 채널 층을 구비한 반도체 기판 상에 게이트 하부 채널 영역과 소오스 및 드레인 전극 하부에만 P-형 불순물을 이온주입하고 소오스-게이트 및 게이트-드레인 사이의 좁은 영역에는 P-형 불순물을 주입하지 않고, 게이트 금속의 증착 및 게이트 패턴을 식각하는 공정을 수행한다. 이 경우 게이트 길이(Lg)는 채널 층 하단부에 P-형으로 이온 주입된 길이(Lch-g)보다 좁게 정의하여 핀치-오프 특성을 개선시킨다. 상기 게이트를 이온주입 마스크로 이용한 이온주입을 행하여 LDD층을 형성하는 단계와, 소스/드레인 영역상에 N+형 이온주입을 수행하는 단계 및 오믹 콘택용 저항성 금속을 형성한 후, 열처리 공정을 수행하여 오믹 콘택 층을 형성하는 단계와, 상기 오믹 콘택 층과의 접촉을 위한 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 거쳐 자기 정렬형 게이트 트랜지스터를 제작한다. 자기정렬, 갈륨비소 트랜지스터, 쇼트채널효과, 고주파 집적회로
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000082810 (2000.12.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0385856-0000 (2003.05.19)
공개번호/일자 10-2002-0054114 (2002.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20030602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문재경 대한민국 대전광역시유성구
2 김해천 대한민국 대전광역시유성구
3 임종원 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨 미국 워싱턴 ***** 커클랜드 캐럴란 포인트 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-0281023-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0223818-57
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.08.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0263965-30
6 의견서
Written Opinion		 2002.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0263964-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2003.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0061900-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

삭제
2 2

자기정렬형 게이트를 구비한 전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,

게이트 하부 채널 영역과 소오스 및 드레인 전극 하부에만 피(P)형 불순물을 이온주입하고, 고온 안정성이 우수한 내화 금속을 게이트용으로 증착하고, 게이트 패터닝을 한 후 건식식각 방법을 이용하여 게이트를 형성하는 제 1 단계;

상기 게이트를 이온주입 마스크로 이용하여, 소스-드레인 영역의 측면에 이온주입을 행하여 LDD(Lightly Doped Drain)층을 형성하는 제 2 단계;

상기 소오스-드레인 영역상에 N+형 이온주입을 수행하는 제 3 단계;

오믹 콘택용 저항성 금속을 형성한 후 열처리 공정을 수행하여 오믹 콘택층을 형성하는 제 4 단계; 및

상기 오믹 콘택층과의 접촉을 위한 소스-드레인 전극을 형성하는 제 5 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 피(P)형 불순물로는 베릴리움(Be), 마그네슘(Mg), 탄소(C) 중에서 어느 하나를 사용하여 게이트 하부 채널 영역과 소오스 및 드레인 전극 하부에 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법

4 4

제 2 항에 있어서,

상기 제 1단계에서 게이트가 형성되도록, 게이트 길이(Lg)는 채널층 하단부에 피(P)형으로 이온 주입된 길이(Lch-g)보다 좁게 정의하여 핀치-오프 특성을 개선시킨 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 게이트는 고온 안정성이 우수한 내화 금속(refractory metal)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 내화 금속은 텅스텐(W), 텅스텐 나이트라이드(WNx), 텅스텐 실리사이드(WSix) 또는 텅스텐 실리나이트라이드(WSiNx) 중의 어느 하나로 이루어진 단일층 또는, 텅스텐 나이트라이드/텅스텐(WNx/W)으로 구성된 이중 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법

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1 US06541319 US 미국 FAMILY
2 US20020081810 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2002081810 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6541319 US 미국 DOCDBFAMILY
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