맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

안티가이드형 표면방출 레이저 및 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015095096
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 안티가이드형 표면방출 레이저 및 제조 방법에 관한 것으로, 하부 브래그 거울층과 상부 브래그 거울층 사이에 안티몬이 첨가된 박막을 형성한 후 선택 산화 공정으로 안티몬이 첨가된 박막의 가장자리를 산화시켜 광 발진 영역을 한정함과 동시에, 산화된 박막 상부에 안티몬층을 형성하여 가장자리의 유효굴절률을 변화시킴으로써, 발진 영역의 크기가 증가하는 것을 방지하고 고차 횡모드의 발진을 감소시켜 낮은 소비 전력에서 단일 모드의 고출력을 얻을 수 있는 안티가이드형 표면방출 레이저 및 제조 방법이 개시된다. 안티가이드, 안티몬, 고차 횡모드 발진, 광 발진 영역, 산화, 표면방출레이저, 단일모드발진
Int. CL H01S 5/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020031972 (2002.06.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0440254-0000 (2004.07.05)
공개번호/일자 10-2003-0094711 (2003.12.18) 문서열기
공고번호/일자 (20040715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.06.07)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한원석 대한민국 대전광역시유성구
2 유병수 대한민국 대전광역시서구
3 권오균 대한민국 대전광역시유성구
4 노정래 대한민국 대전광역시서구
5 신재헌 대한민국 대전광역시유성구
6 주영구 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2002-0178865-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0014231-07
5 등록결정서
Decision to grant		 2004.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0260880-59
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 구비된 하부 브래그 거울층;

상기 하부 브래그 거울층 상부에 구비된 공진층;

상기 공진층 상부에 구비되며,

가장 자리가 산화되어 전류주입영역을 중앙부분으로 한정하기 위한 제1 박막과, 가장 자리와 중심 부분의 유효 굴절률 차를 발생시키기 위한 제2 박막과, 상기 제1 박막 하부에 구비되며 산화에 둔감하고 낮은 굴절률 특성을 갖는 제3 박막과, 상기 제3 박막과 상기 제 1 박막 사이에 구비되며 산화에 둔감하고 높은 굴절률 특성을 갖는 제4 박막과, 노출된 상기 제1 및 제2 박막 상부에 구비되며 상기 제4 박막과 동일한 물질로 이루어진 제5 박막을 포함하여 이루어지며 상기 빔폭 제어층 상부에 구비되어 발진되는 빔의 크기를 제어하는 빔폭 제어층; 및

상기 빔폭 제어층 상부에 구비되며, 상기 제2 박막에 의해 가장 자리 부분과 중심 부분의 경계에서 단차를 갖는 상부 브래그 거울층을 포함하는 것을 특징으로 하는 안티가이드형 표면방출 레이저

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제1 박막은 InAlGaAs에 안티몬이 첨가된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 안티가이드형 표면방출 레이저

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제2 박막은 안티몬으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 안티가이드형 표면방출 레이저

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제3 박막은 InAlAs로 이루어지고, 상기 제4 박막은 InAlGaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 안티가이드형 표면방출 레이저

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 상부 브래그 거울층은 티타늄 산화막과 실리콘 산화막이 교대로 반복되어 적층된 구조로 이루어지며, 상기 빔폭 제어층의 가장자리가 노출되도록 상기 빔폭 제어층 상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 안티가이드형 표면방출 레이저

6 6

기판 상에 굴절률이 서로 다른 반도체층을 교대로 반복 성장시켜 하부 브래그 거울층을 형성하는 단계;

상기 하부 브래그 거울층 상부에 공진층을 형성하는 단계;

상기 공진층 상부에 산화에 둔감하고 낮은 굴절률 특성을 갖는 반도체층으로 이루어진 제1 박막을 형성하는 단계;

상기 제1 박막 상에 산화에 둔감하고 높은 굴절률 특성을 갖는 반도체층으로 이루어진 제2 박막을 형성하는 단계;

상기 제2 박막과 동일한 물질에 안티몬이 첨가된 안티몬 첨가 박막을 형성하는 단계;

상기 안티몬 첨가 박막 상에 상기 제2 박막과 동일한 물질로 이루어진 제3 박막을 형성하는 단계;

상기 안티몬 첨가 박막의 가장 자리를 산화시키면서 산화된 안티몬 첨가 박막과 상기 제3 박막 사이에 안티몬층을 형성하는 단계;

상기 제3 박막 상부에 상부 브래그 거울층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 안티가이드형 표면방출 레이저 제조 방법

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 하부 브래그 거울층은 InAlGaAs 및 InAlAs을 교대로 반복 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 안티가이드형 표면방출 레이저 제조 방법

8 8

제 6 항에 있어서, 상기 상부 브래그 거울층은 티타늄 산화막과 실리콘 산화막을 교대로 반복 성장시켜 형성하며, 상기 제3 박막의 가장자리가 노출되도록 가장 자리가 식각되는 것을 특징으로 하는 안티가이드형 표면방출 레이저 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.