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급속 냉각에 의한 고출력 고주파수 고전자이동도트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015095143
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고전자이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor ; HEMT)의 제조방법을 개시한다. 본 발명에서는, 기판 상에 다층의 금속층으로 이루어진 소스 및 드레인을 형성한 다음, 오믹 콘택을 위해 열처리한 후, 열처리된 결과물을 시간 지연 없이 1차 급속 냉각한다. 계속하여, 소스 및 드레인 사이에 다층의 금속층으로 이루어진 게이트를 형성한 다음, 쇼트키 콘택을 위해 열처리한 후, 열처리된 결과물을 시간 지연 없이 2차 급속 냉각한다. 시간 지연 없는 급속 냉각에 의해, 종래 금속층의 열처리 후 상온으로 회복되는 동안 열팽창계수가 다른 금속층간에 발생되던 변형을 방지할 수 있다. 따라서, 금속층 표면의 균일도와 콘택 특성 및 HEMT의 전기적 특성이 개선되어, 종래에 비하여 고출력·고주파 특성이 우수한 HEMT를 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020020003187 (2002.01.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0403674-0000 (2003.10.17)
공개번호/일자 10-2003-0062792 (2003.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20031030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미란 대한민국 대전광역시서구
2 이규석 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0017012-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0041259-62
5 등록결정서
Decision to grant		 2003.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0358013-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상에 이종접합이 형성되도록 상이한 밴드갭을 갖는 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 순차 적층하는 단계;

상기 제 2 반도체층 상에 다층의 금속층으로 이루어진 소스 및 드레인을 형성하는 단계;

상기 소스 및 드레인과 상기 제 2 반도체층의 오믹 콘택을 위하여, 상기 소스 및 드레인이 형성된 기판을 열처리하는 단계;

상기 열처리된 결과물을 시간 지연 없이 1차 급속 냉각하는 단계;

상기 소스 및 드레인 사이의 상기 제 2 반도체층 상에 다층의 금속층으로 이루어진 게이트를 형성하는 단계;

상기 게이트와 상기 제 2 반도체층의 쇼트키 콘택을 위하여, 상기 게이트가 형성된 기판을 열처리하는 단계; 및

상기 열처리된 결과물을 시간 지연 없이 2차 급속 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, SiC, GaN, 또는 Si 기판인 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층으로서 각각 GaN층과 AlxGa1-xN층을 적층하는 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층은 도펀트가 도핑되지 않은 AlxGa1-xN층, 전자공급을 위해 도핑된 AlxGa1-xN층 및 고농도로 도핑된 AlxGa1-xN캡(cap)층 등과 같이 GaN계의 서로 다른 밴드갭을 갖는 반도체층으로 구성된 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 GaAs 기판인 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층으로써 각각 GaAs층과 AlxGa1-xAs층을 적층하는 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 AlxGa1-xAs층은 도펀트가 도핑되지 않은 AlxGa1-xAs층, 전자공급을 위해 도핑된 AlxGa1-xAs층 및 고농도로 도핑된 AlxGa1-xAs캡(cap)층 등과 같이 GaAs계의 서로 다른 밴드갭을 갖는 반도체층으로 구성된 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인이 형성된 기판을 열처리하는 단계와 상기 게이트가 형성된 기판을 열처리하는 단계는 300℃ 이상의 온도에서 FA(Furnace Annealing) 또는 RTA(Rapid Thermal Annealing) 방법에 의하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 소스, 드레인 및 게이트를 이루는 다층의 금속층의 최상부 금속층은 Au인 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인을 이루는 다층의 금속층은 Ti/Al/Ni/Au인 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

11 11

제 1 항에 있어서, 상기 1차 급속 냉각하는 단계와 상기 2차 급속 냉각하는 단계는 액체 질소를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

12 12

제 11 항에 있어서, 상기 액체 질소에 상기 기판을 디핑(dipping)함으로써, 상기 기판을 액체 질소의 기화점까지 급속 냉각시키는 것을 특징으로 하는 고전자이동도 트랜지스터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.