유리판(1)을 세척하는 과정을 거친후 유리판에 크롬(2)을 증착하고 상기 크롬층(2) 위에는 양성 포토레지스트(3)를 코팅하며 이에 노광을 한 후 상기 크롬층(2)을 식각하고 양성 포토레지스트(3)를 제거하며 실리콘 산화막(4)을 증착하되 상기 실리콘산화막(4) 위에 다시 음성 포토레지스트(3')를 코팅 및 베이킹하고 이에 유리판(1) 저면 전면 노광 및 실리콘산화막(4)을 식각하고 음성 포토레지스트(3')를 제거하며 이어서 크롬층(2)을 제거함으로써 실리콘산화막(4)에 손상을 입히지 않고 균일한 표면을 얻을 수 있게 한 것을 특징으로 하는 회절격자의 형상 형성방법

제 1항에 있어서, 유리판(1) 위에 크롬층(2)을 증착하여 실리콘산화막(4) 식각시 식각멈춤 및 식각속도 시간의 차이에 의한 식각깊이의 변화를 방지할 수 있게한 것을 특징으로 하는 회절격자의 형상 형성방법

제 1항에 있어서, 유리판(1) 저면에서 자외선으로 전면노광을 할때 실리콘산화막(4)층 저면의 크롬층(2)을 실리콘산화막(4)층 위의 양성 포토레지스트(3)에 정렬없이 직접 전사하는 것을 특징으로 하는 회절격자의 형상 형성방법

제 1항에 있어서, 상기 실리콘산화막(4)위에 음성 포토레지스트(3')의 형상 반전을 이용하여 음성 포토레지스트(3')을 코팅 및 베이킹 하고 유리판 저면에서 노광한 후 다시 포스트베이킹과 노광하고, 음성 포토레지스트(3')의 형상 현상, 실리콘 산화막(4) 식각, 포토레지스트(3') 제거, 크롬층(2) 제거공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 회절격자의 형상 형성방법