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플라즈마에의한(SOG)경화방법

  • 기술번호 : KST2015095285
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(IMD; inter metal dielelectric)으로 SOG(spin-on glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 플라즈마 방법을 이용하여 양질의 SOG 박막을 형성시킬 수 있는 경화(curing) 방법에 관한 것이다.본 발명은 절연막으로 SOG(Spin-On Glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, SOG의 경화처리(curing)를 플라즈마 방법, 또는 기존의 열처리 방법과 병하여 수행함으로써, SOG막 내에 잔류하는 Si-OH 결합 및 휘발성 유기물과 H2O를 제거한다.
Int. CL H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/76826(2013.01) H01L 21/76826(2013.01)
출원번호/일자 1019940028804 (1994.11.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0138853-0000 (1998.02.23)
공개번호/일자 10-1996-0019505 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박민 대한민국 대전직할시유성구
2 이중환 대한민국 대전직할시유성구
3 구진근 대한민국 대전직할시유성구
4 유형준 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130252-20
2 특허출원서
Patent Application		 1994.11.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130250-39
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130251-85
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130253-76
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130254-11
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0072902-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

절연막으로 SOG(Spin On Glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,

상기 SOG의 경화처리(curing)를 플라즈마 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG의 경화방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 플라즈마 공정이 외부에서 인가하는 전장에 의해 플라즈마가 형성되며, 고주파(RF)가 13

3 3

제 2항에 있어서,

상기 플라즈마 공정시 사용되는 가스가 아르곤(Ar), 수소(H2) 및 헬륨(He) 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에 의한 SOG 경화방법

4 4

제 2항에 있어서,

상기 플라즈마 공정조건에서, 플라즈마를 형성하는데 필요한 고주파 파워밀도(RF power density)가 0

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1 JP03061558 JP 일본 FAMILY
2 JP08236520 JP 일본 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP3061558 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP8236520 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH08236520 JP 일본 DOCDBFAMILY
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