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고출력수직공진형표면방출반도체레이저소자구조

  • 기술번호 : KST2015095400
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고출력 수직공진형 표면 방출 반도체 레이저 소자 구조에 관한 것으로서, 종래기술에 있어서 반도체 레이저 소자의 저출력의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에선느 레이저 파장의 반을 공동거리로 레이저 출력의 미분 양자효율을 증가시키고, 이득층(6)에 전자와 정공의 균일한 주입을 위하여 운반자 결핍영역(9)을 공진영역(8)보다 넓게 함으로써 광교환 및 광컴퓨터등에 사용될 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01S 5/18 (2006.01)
CPC H01S 5/187(2013.01) H01S 5/187(2013.01)
출원번호/일자 1019930028257 (1993.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0141356-0000 (1998.03.19)
공개번호/일자 10-1995-0021906 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (19980715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.17)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병수 대한민국 대전광역시 대덕구
2 박효훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 이일항 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142076-82
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142078-73
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142077-27
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142079-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067032-84
6 의견서
Written Opinion		 1997.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142081-11
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142082-56
8 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142080-65
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067033-29
10 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142083-02
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067036-66
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1997.10.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142084-47
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1997.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142085-93
14 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1997.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067037-12
15 의견서
Written Opinion		 1997.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142086-38
16 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142087-84
17 등록사정서
Decision to grant		 1998.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067038-57
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

굴절율이 다른 두 층 이상의 본도체를 교대로 성장한 브래그(Bragg) 반사판으로 기판의 수직 방향의 빛을 반사하기 위한 p형 거울층(1), 이득을 주고 공동(cavity) 거리를 결정하는 활성층(3), 그리고 굴절율이 다른 두 층 이상의 반도체를 교대로 성장한 브래그 반사판으로 기판의 수직방향의 빛을 반사하기 위한 n형 거울층(2)으로 이루어진 수직공진형 표면 방출 레이저 구조에 있어서, 공동 거리를 결정하는 상기 활성층(2)을 레이저 발진 파장의 반으로 구성하고, 그 활성층(2)을 구성하는 이득층(6)과 공간층(7)에서 공진 빛과 이득층(6)의 이득간의 커플링을 최대로 하기 위하여 이득층(6)을 활성층(3)내의 양끝에 위치하게 구성하고, 운반자의 효과적인 활성층 주입과 거울층으로서의 역할을 동시에 수행하기 위하여 활성층(3)의 양쪽에 결핍층(5)이 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 수직 공진형 표면 방출 반도체 레이저 소자 구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.