규소기판(21)을 준비하고, 이 위에 규소산화막 또는 이종의 절연막(22)을 형성하고서, 그 위에 절연영역(24) 및 활성영역(25)을 정의하기 위하여 포토레지스트(23)을 도포하는 공정(a,b)과, 상기 활성영역(25)위에 이 활성영역의 축소없이 원하는 영역만을 산화막으로 형성하기 위하여 고농도 산소이온주입(26)을 하여 규소산화막(27)을 형성하는 공정(c)과, 상기 공정(d)후에 고온의 열처리공정을 수행하여 원하는 두께의 규소산화막(28)을 형성하는 공정(d)을 포함하는 고농도의 산소이온 주입법을 이용한 소자절연산화막 제조방법

제1항에 있어서, 상기 공정(b)에서 절연산화막의 단차(20)를 보상하기 위해 소정 두께만큼의 단차(33)을 형성하여 산화후 체적증가로 인한 단차를 억제하는 공정이 부가되는 것을 특징으로 하는 고농도의 산소이온 주입법을 이용한 소자절연산화막 제조방법