광스위치의 제조방법에 있어서, n+형 InP 기판(1)상에 n--InGaAsP광도파로 층(2), n--InP층(3')을 에피택시법으로 순차적으로 1차 결정성장시키는 공정과 ; 1차 결정성장된 기판에 SiNx(7')을 증착시킨 다음 도파로 교차부분의 SiNx을 식각하여 없앤 후 n형의 도펀트(8)를 n--InGaAsP 광도파로층(2)까지 이온주입을 하고 열처리를 통하여 주입된 도판을 활성화 하는 공정과 ; 이온주입된 상기 SiNx(7')층과 n--InP층(3')을 제거시키는 공정과 ; n--InP클래드층(3)과 p--InP(4), n--InGaAs층(5), p--InGaAs층(6)의 전류차단층을 순차적으로 2차 결정성장시키는 공정과 ; 반사면을 이루는 부분이 n--InGaAs층(5)을 홈모양으로 선택식각하는 공정과 ; 전면에 Zn 확산(9)을 하고 도파로 부분을 제외한 부분의 도파로층 상의 각 층을 식각해내는 공정과 ; 전면에 SiNx절연막(7)을 증착시키고, 리프트-오프 공정에 의해 p형 전극(10)을 증착한 후에 n형전극(11)을 증착시키는 공정을 포함하는 이온주입에 의한 고속 광스위치의 제조방법