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다공성 박막의 제조 방법, 이를 이용하는 염료감응태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015095494
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다공성 박막의 제조 방법, 이를 이용하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 염료감응 태양전지는 하부 전극 구조체 상에 배치된 상부 전극 구조체, 하부 및 상부 전극 구조체들 사이에 배치되어 하부 전극 구조체에 접촉하는 반도체 전극층, 반도체 전극층 및 상부 전극 구조체 사이에 개재되어 세공들을 정의하는 다공성 고분자막 및 다공성 고분자막의 세공들을 채우는 전해액을 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070077140 (2007.07.31)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0911381-0000 (2009.08.03)
공개번호/일자 10-2009-0012911 (2009.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20090810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.31)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종혁 대한민국 대전 유성구
2 강만구 대한민국 대전 유성구
3 전용석 대한민국 대전 유성구
4 윤호경 대한민국 서울 마포구
5 이승엽 대한민국 경북 경산시
6 박헌균 대한민국 대전 유성구
7 김종대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0560767-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034265-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0064882-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0158249-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0158248-34
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0310149-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극 구조체; 상기 하부 전극 구조체 상에 배치된 상부 전극 구조체; 상기 하부 및 상부 전극 구조체들 사이에 개재되어, 상기 하부 전극 구조체에 접촉하는 반도체 전극층; 상기 반도체 전극층 및 상기 상부 전극 구조체 사이에 개재되어, 세공들(pores)을 정의하는 다공성 고분자막; 및 상기 다공성 고분자막의 세공들을 채우는 전해액을 포함하되, 상기 다공성 고분자막은 폴리비닐리덴 플로라이드계 중합체 또는 그 공중합체를 포함하는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 고분자막의 세공들의 폭은 10nm 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 고분자막은 5mm 내지 50mm의 두께인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 전극층과 상기 상부 전극 구조체가 상기 전해액에 의해 전기적으로 연결되도록, 상기 세공들은 상기 반도체 전극층과 상기 상부 전극 구조체 사이에서 상기 다공성 고분자막을 연속적으로 관통하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 고분자막의 부피에 대한 상기 세공들의 부피의 비율은 30%~80%인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 전극층은 티타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), 실리콘 산화물(SiO2), 마그네슘 산화물(MgO), 니오븀 산화물(Nb2O5) 및 아연 산화물(ZnO) 중의 한가지인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극 구조체와 상기 다공성 고분자막 사이에 개재된 백금층을 더 포함하는 염료감응 태양전지
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극 구조체 및 상기 하부 전극 구조체 중의 적어도 하나는 구부릴 수 있는 물질로 이루어진 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 구부릴 수 있는 물질은 금속성 물질들 중의 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극 구조체 및 상기 하부 전극 구조체 중의 하나는 구부릴 수 있는 도전성 물질로 이루어진 기판을 포함하고, 상기 상부 전극 구조체 및 상기 하부 전극 구조체 중의 다른 하나는 구부릴 수 있는 투광성 고분자 물질로 이루어진 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 구부릴 수 있는 물질은 스테인레스 스틸 및 알루미늄을 포함하는 금속성 물질들 중의 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 도전성 물질로 이루어진 기판과 상기 반도체 전극층 사이에 개재된 전도성 투명 전극을 더 포함하되, 상기 전도성 투명 전극과 상기 도전성 물질로 이루어진 기판 사이에는 절연성 박막 또는 반도체 박막이 더 개재되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
14 14
하부 전극 구조체 상에 반도체 전극층을 형성하는 단계; 상기 반도체 전극층의 표면에 염료층을 형성하는 단계; 상기 염료층이 형성된 결과물 상에, 세공들(pores)을 정의하는 다공성 고분자막을 형성하는 단계; 상기 다공성 고분자막 상에 상부 전극 구조체를 형성하는 단계; 및 상기 다공성 고분자막의 세공들에 전해액을 주입하는 단계를 포함하되, 상기 다공성 고분자막은 폴리비닐리덴 플로라이드계 중합체 또는 그 공중합체를 포함하는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 다공성 고분자막의 세공들은 10nm 내지 100㎛의 폭을 가지면서 상기 다공성 고분자막을 연속적으로 관통하도록 형성되고, 상기 다공성 고분자막의 부피에 대한 상기 세공들의 부피의 비율은 30%~80%인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 다공성 고분자막을 형성하는 단계는 상기 염료층이 형성된 상기 반도체 전극층 상에, 고분자 혼합물 및 용매가 혼합된 소스 용액을 도포(coating)하는 단계; 및 상기 용매를 증발시키는 단계를 포함하되, 상기 고분자 혼합물은 폴리비닐리덴 플로라이드계 중합체 또는 그 공중합체를 포함하고, 상기 용매를 증발시키는 단계는 상기 소스 용액과 접하는 대기의 습도가 30% 내지 70%인 조건에서 실시되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 용매는 아세톤 또는 엔엠피(N-Methylpyrrolidone; NMP)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
18 18
제 16 항에 있어서, 상기 고분자 혼합물은 상기 용매에 1 중량% 내지 5 중량%로 용해되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
19 19
제 14 항에 있어서, 상기 반도체 전극층은 티타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), 실리콘 산화물(SiO2), 마그네슘 산화물(MgO), 니오븀 산화물(Nb2O5) 및 아연 산화물(ZnO) 중의 한가지로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
20 20
제 14 항에 있어서, 상기 다공성 고분자막 상에 상기 상부 전극 구조체를 형성하는 단계는 상기 하부 전극 구조체 상에 상기 반도체 전극층 및 상기 다공성 고분자막을 둘러싸는 고분자막을 형성하는 단계; 상기 고분자막이 형성된 결과물 상에 상기 상부 전극 구조체를 배치하는 단계; 및 상기 상부 및 하부 전극 구조체들을 압착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
21 21
고분자 혼합물을 준비하는 단계; 용매에 상기 고분자 혼합물을 용해시킴으로써 소스 용액을 준비하는 단계; 및 상기 소스 용액으로부터 상기 용매를 증발시킴으로써 고분자막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 고분자막이 다공성 구조를 갖도록, 상기 용매를 증발시키는 단계는 상기 소스 용액과 접하는 대기의 습도가 제어된 조건에서 실시되는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 제조 방법
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 고분자 혼합물은 폴리비닐리덴 플로라이드계 중합체 또는 그 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 제조 방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 용매는 아세톤 또는 엔엠피(N-Methylpyrrolidone; NMP)인 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 제조 방법
24 24
제 23 항에 있어서, 상기 소스 용액을 준비하는 단계는 상기 고분자 혼합물을 상기 용매에 1 중량% 내지 5 중량%로 용해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 제조 방법
25 25
제 21 항에 있어서, 상기 용매를 증발시키는 단계는 상기 소스 용액과 접하는 대기의 습도가 30% 내지 70%인 조건에서 실시되는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 제조 방법
26 26
제 21 항에 있어서, 상기 고분자막은 이를 연속적으로 관통하는 세공들(pores)을 갖도록 형성되되, 상기 고분자막의 부피에 대한 상기 세공들의 부피의 비율은 30%~80%인 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 제조 방법
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