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마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및그를 이용한 환경 센서

  • 기술번호 : KST2015095994
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치는, 하부 산화 실리콘 박막, 질화 실리콘 박막 및 상부 산화 실리콘 박막이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 외부로부터 입력된 전류를 상기 가열부에 인가하는 가열부 전극; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 상기 가열부에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판; 및 상기 가열부, 상기 가열부 전극, 상기 확산판의 상단에 형성되는 절연층을 포함하되, 상기 가열부는 상기 확산판을 감싸는 패턴으로 형성되며, 상기 확산판은 상기 가열부와 수직으로 연결되어 상기 가열부로부터 전류가 인가되더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 한다. 마이크로 가열 장치, 히터, 가스 센서
Int. CL F24B 1/187 (2006.01) G01N 27/14 (2006.01)
CPC G01N 27/14(2013.01) G01N 27/14(2013.01)
출원번호/일자 1020070126836 (2007.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0914938-0000 (2009.08.25)
공개번호/일자 10-2009-0059792 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이홍열 대한민국 충북 청주시 상당구
2 문승언 대한민국 대전 유성구
3 박종혁 대한민국 대구 동구
4 곽준혁 대한민국 경북 경산시
5 박소정 대한민국 경기 이천시
6 박강호 대한민국 대전 유성구
7 김종대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0882239-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0059556-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0176819-63
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0394447-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0394474-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0348490-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310) 및 상부 산화 실리콘 박막(320)이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부(200); 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 외부로부터 입력된 전류를 상기 가열부(200)에 인가하는 가열부 전극(210); 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 상기 가열부(200)에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판(250); 및 상기 가열부(200), 상기 가열부 전극(210), 상기 확산판(250)의 상단에 형성되는 절연층(350)을 포함하되, 상기 가열부(200)는 상기 확산판(250)을 감싸는 패턴으로 형성되며, 상기 확산판(250)은 상기 가열부(200)와 수직으로 연결되어 상기 가열부(200)로부터 전류가 인가되더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 가열부(200), 상기 가열부 전극(210), 상기 확산판(250)은 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 중 어느 한 물질로 각각 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 확산판(250)과 상기 가열부(200)의 결합은 휘트스톤 브리지 형태의 회로 결합 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 확산판(250)은 복수의 동심원을 포함하며, 상기 복수의 동심원들은 이웃하는 동심원들과 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치
7 7
제1항에 있어서, 상기 확산판(250)은 원형 디스크 형태의 판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 가열부(200)는 톱니바퀴 형태의 패턴으로 상기 확산판(250)을 감싸고, 상기 확산판(250)과 수직으로 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 가열부(200)의 패턴 형태는 상기 가열부(200) 자체의 내부 저항을 증가시키는 형태로 변형 가능한 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치
10 10
실리콘 기판(100) 위에 하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310) 및 상부 산화 실리콘 박막(320)을 차례대로 증착하여 탄성 박막을 형성하는 단계; 상기 탄성 박막의 상단에 전도 재질의 가열부 전극(210), 상기 가열부 전극(210)으로부터 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부(200), 상기 가열부(200)에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판(250)을 형성하되, 상기 가열부(200)는 상기 확산판(250)을 감싸는 패턴으로 형성하고, 상기 확산판(250)은 상기 가열부(200)와 수직으로 연결되도록 형성하는 단계; 상기 가열부 전극(210), 상기 가열부(200) 및 상기 확산판(250)의 상단에 절연층(350)을 형성하는 단계; 및 상기 가열부 전극(210), 상기 가열부(200) 및 상기 확산판(250)이 미형성된 영역의 하단에 위치한 상기 실리콘 기판(100)을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 실리콘 기판(100)을 식각하는 단계에서, 기판 하부 공정을 이용하여 상기 가열부 전극(210), 상기 가열부(200) 및 상기 확산판(250)이 미형성된 영역의 하단에 위치한 상기 실리콘 기판(100)을 식각하거나, 기판 상부 공정을 이용하여 상기 가열부 전극(210), 상기 가열부(200) 및 상기 확산판(250)이 미형성된 영역의 상단에 위치한 상기 절연층(350)에서부터 그 하단에 위치한 상기 탄성 박막과 상기 실리콘 기판(100)의 소정 두께까지 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치 제조 방법
12 12
하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310) 및 상부 산화 실리콘 박막(320)이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부(200); 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 외부로부터 입력된 전류를 상기 가열부(200)에 인가하는 가열부 전극(210); 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 상기 가열부(200)에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판(250); 상기 가열부(200), 상기 가열부 전극(210), 상기 확산판(250)의 상단에 형성되는 절연층(350); 및 상기 절연층(350)의 상단에 형성되는 환경 센서 전극(270) 및 환경 감지 물질(600)을 포함하되, 상기 가열부(200)는 상기 확산판(250)을 감싸는 패턴으로 형성되며, 상기 확산판(250)은 상기 가열부(200)와 수직으로 연결되어 상기 가열부(200)로부터 전류가 인가되더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 환경 센서
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈