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기판과; 상기 기판 위에 각기 다른 밴드갭을 가지는 다중 양자우물구조로 형성되어, 각 양자우물별로 각기 다른 파장의 빛을 검출하는 InGaAsP/InGaAsP 양자우물 흡수층과; 상기 InGaAsP/InGaAsP 양자우물 흡수층에서 흡수되는 각기 다른 파장의 빛을 파장별로 격리시키는 반절연격리층을 포함한 것을 특징으로 하는 다파장 광검출기 어레이
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제1항에 있어서, 상기 InGaAsP/InGaAsP 양자우물 흡수층 및 반절연격리층 위에 형성된 무반사코팅층과 전극을 더 포함한 것을 특징으로 하는 다파장 광검출기 어레이
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제1항에 있어서, 상기 InGaAsP/InGaAsP 양자우물 흡수층은 선택적 유기금속기상증착 결정 성장법을 이용하여 성장하는 것을 특징으로 하는 다파장 광검출기 어레이
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기판 위에 버퍼층을 형성하는 제1단계와; 상기 버퍼층 위에 각기 다른 밴드갭을 가지는 다중 양자우물구조의 InGaAsP/InGaAsP 양자우물 흡수층을 형성하는 제2단계와; 상기 InGaAsP/InGaAsP 양자우물 흡수층 위에 p-InP층을 성장하는 제3단계와; 상기 p-InP층과 InGaAsP/InGaAsP 양자우물 흡수층과 버퍼층을 에칭한 후 반절연격리층을 성장하는 제4단계와; 상기 제4단계의 결과물 위에 무반사코팅층과 전극을 형성하는 제5단계를 포함한 것을 특징으로 하는 다파장 광검출기 어레이 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제2단계는, 상기 버퍼층 위에 절연층의 폭이 각기 다른 절연층패턴을 가지는 마스크를 형성한 후 선택적 유기금속기상증착(MOCVD) 결정 성장법을 이용하여 성장하는 것을 특징으로 하는 다파장 광검출기 어레이 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제5단계는, 상기 전극을 상기 p-InP층과 반절연격리층에 걸치게 형성하여 정전용량을 줄여서 동작 속도를 크게 향상시키는 것을 특징으로 하는 다파장 광검출기 어레이 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 전극을 리소그라피 방법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 다파장 광검출기 어레이 제조방법
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