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고분자 나노 입자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015096263
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이-광자 흡수 화합물을 중심부에 포함하는 고분자 나노 입자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 고분자 나노 입자 형성을 위한 단량체 및 이-광자 흡수 화합물을 용매에 분산시키는 단계와, 상기 단량체 및 이-광자 흡수 화합물이 분산된 용매를 일정 온도로 유지하며 교반하면서 상기 용매에 포함된 용존 산소를 제거하기 위하여 소정 기체를 공급하는 단계와, 상기 단량체 및 이-광자 흡수 화합물이 분산된 용매를 일정 온도로 유지하며 교반하면서 상기 용매에 중합개시제를 공급하는 단계 및 상기 단량체 및 이-광자 흡수 화합물이 분산된 용매를 일정 온도로 유지하며 교반하면서 소정 시간 동안 상기 단량체를 중합시키는 단계를 포함하는 고분자 나노 입자 제조방법을 제공한다. 이-광자 흡수, 유화 중합, 고분자 나노 입자, 나노 입자 분산
Int. CL B82B 3/00 (2011.01) C08F 2/44 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020020008662 (2002.02.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0466545-0000 (2005.01.06)
공개번호/일자 10-2003-0068929 (2003.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20050115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정명애 대한민국 대전광역시유성구
2 정상돈 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0048478-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0056996-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0124003-99
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0224386-25
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0284874-90
8 의견서
Written Opinion
2004.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0342120-33
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0342118-41
10 등록결정서
Decision to grant
2004.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0553858-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

서로 다른 극성을 갖는 2개 이상의 단량체 및 이-광자 흡수 화합물을 용매에 분산시키는 단계;

상기 단량체 및 상기 이-광자 흡수 화합물이 분산된 용매를 40 내지 90℃ 중 어느 특정 온도로 유지하면서, 불활성 기체를 공급하여 상기 용매에 포함된 용존 산소를 제거하는 단계;

상기 단량체 및 상기 이-광자 흡수 화합물이 분산된 용매에 중합개시제를 공급하여 상기 단량체의 중합에 의해 이-광자 흡수 화합물 집합체를 포함하는 고분자 나노 입자가 형성되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 나노 입자 제조방법

2 2

서로 다른 극성을 갖는 2개 이상의 단량체, 이-광자 흡수 화합물 및 계면활성제를 용매에 분산시킨 후 교반하는 단계;

상기 단량체, 상기 이-광자 흡수 화합물 및 상기 계면활성제가 분산된 용매를 40 내지 90℃ 중 어느 특정 온도로 유지하면서, 불활성 기체를 공급하여 상기 용매에 포함된 용존 산소를 제거하는 단계;

상기 단량체, 상기 이-광자 흡수 화합물 및 상기 계면활성제가 분산된 용매에 중합개시제를 공급하여 상기 단량체의 중합에 의해 이-광자 흡수 화합물 집합체를 포함하는 고분자 나노 입자가 형성되도록 하는 단계;

메탄올 또는 에탄올을 이용하여 상기 고분자 나노 입자에 부착된 상기 계면활성제를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 나노 입자 제조방법

3 3

삭제

4 4

제2항에 있어서, 상기 계면활성제로는 소듐 도데실 설페이트, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드, 세틸트리메틸암모늄 클로라이드, 스테릴트리메틸암모늄 클로라이드, 도데실 트리메틸암모늄 브로마이드 또는 소듐 1,2-비스(2-에틸헥실) 설포석시네이트(에어로졸-OT)을 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 나노 입자 제조방법

5 5

삭제

6 6

삭제

7 7

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 단량체는 메틸 메타크릴레이, 스티렌, 스티렌 설포네이트, 비닐 아세테이트, 메틸 스티렌, 아크릴산, 부틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트 또는 N-비닐카프로락탐인 것을 특징으로 하는 고분자 나노 입자 제조방법

8 8

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이-광자 흡수 화합물로는 스틸벤계 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 나노 입자 제조방법

9 9

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중합개시제로는 포타슘 퍼설페이트, 암모늄 퍼설페이트 또는 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴)을 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 나노 입자 제조방법

10 10

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 용매로는 물 또는 알콜을 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 나노 입자 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06667365 US 미국 FAMILY
2 US20030156470 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003156470 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6667365 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.