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이종접합구조의전위국소화박막성장법

  • 기술번호 : KST2015096454
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 구조의 박막성장법에 관한 것으로서, 특히 V-홈(groove)과 반복적 열처리공정을 이용하여 격자 부정합(lattice mismatched)에 따른 전위(dislocation)의 분포를 공간적으로 국소화(spatial localization) 시킬 수 있는 박막성장법에 관한 것이다.본 발명은 격자 부정합된 이종접합 구조의 계면에서 생성되는 전위로 인하여 야기되는 박막의 구조적 및 전기적 특성 저하를 방지하기 위하여 V-홈(groove)과 반복적 열처리공정으로 이용하여 격자 부정합 전위의 분포를 V-홈 주위에서 강제적으로 집중, 생성시킨후, 이들 전위 분포지역을 제거하여 최저력 및 최저 전위밀도의 이종접합 구조의 박막을 성장한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0243(2013.01) H01L 21/0243(2013.01) H01L 21/0243(2013.01) H01L 21/0243(2013.01)
출원번호/일자 1019950006003 (1995.03.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0035775 (1996.10.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.03.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승창 대한민국 대전직할시유성구
2 윤선진 대한민국 대전직할시유성구
3 박효훈 대한민국 대전직할시유성구
4 김성일 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0027116-70
2 특허출원서
Patent Application		 1995.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0027115-24
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0027117-15
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0027118-61
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0027119-17
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.03.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0027120-53
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0013663-43
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0013664-99
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판역할을 수행하는 단결정 박막을 준비하는 공정 : 상기 단결성 박막에 주기적으로 배열된 복수의 V-홈들을 형성하는 공정 : 상기 단결정 박막의 전면에 이 박막과 격자 부정합을 갖는 이종박막을 임계두께에 제한없이 성장시켜 상기 박막들과의 격자 부정합에 따라 생성되는 전위의 분포를 상기 V-홈 주위에 공간적으로 국소화시키는 공정 : 상기 V-홈 주변 이외의 이종접합부위에 분포하는 잔여 전위를 강제 이완(또는 제거) 시키기 위한 열처리 공정: 및 상기 V-홈 부근에 공간적으로 국소화된 전위 분포지역을 포토쏘그래피를 이용하여 제거하는 공정으로 이루어진 이종접합 구조의 전위국소화 박막성장방법

2 2

제1항에 있엇, 상기 V-홈들의 간격, 배열주기 및 주기내의 V-홈의 갯수등은 상기 이종박막의 성장두께를 고려하여 결정되며, 전체적으로 단결정 박막 표면의 가로축 혹은 세로축을 따라 V-홈 형태의 단면을 갖는 주기적 라인패턴(line pattern) 또는 메쉬(mesh) 패턴을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 전위국소와 박막성장방법

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제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 박막의 결정성이나 이종접합 구조의 계면 급준성을 크게 손상시키지 않는 범위내에서 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 전위국소화 박막성장방법

4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.