요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약
안티퓨즈 소자가 FPGA (Field Programmable Gate Array)에 응용되기 위해서는 프로그래밍 되기 전에는 높은 저항값, 프로그래밍 된 후에는 낮은 저항값을 유지해야 되며, 또한 가능한 한 짧은 프로그래밍 시간 및 적절한 프로그래밍 전압을 가져야 한다. 본 발명에서는 상기의 제반 조건들을 만족시키기 위한 새로운 안티퓨즈의 제조방법을 제안하는데 그 방법으로는 금속 필라멘트가 형성될 활성층으로 종래의 비정질 실리콘-게르마늄을 사용함으로써, 안티퓨즈 소자의 프로그래밍 에너지를 저하시킬 수 있다. 이것은 비정질 실리콘보다 비정질 실리콘-게르마늄의 열적 버질 (thermal budget : recrystallization and melting)이 낮기 때문이다. 또한, 본 발명에서는 안티퓨즈 소자의 얇은 산화막을 비정질 실리콘-케르마늄 위에 형성함으로써, 안티퓨즈의 누설전류를 향상시킬 수 있으며 보론나이트라이트(boron-nitride)층을 형성하여 절연막에 전도경로(conductive path)를 만들어서 불순물이 쉽게 비정질 실리콘-게르마늄에 확산되어 프로그래밍 후의 소자의 저항값을 개선할 수 있다.
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번호
이름
국적
주소
1
한국전자통신연구원
대한민국
대전광역시 유성구
발명자
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번호
이름
국적
주소
1
김종대
대한민국
대전광역시 유성구
2
남기수
대한민국
대전광역시 유성구
3
박문양
대한민국
대전광역시 유성구
4
구진근
대한민국
대전광역시 유성구
대리인
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번호
이름
국적
주소
1
신영무
대한민국
서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2
최승민
대한민국
서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)
최종권리자
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번호
이름
국적
주소
1
한국전자통신연구원
대한민국
대전광역시 유성구
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번호
서류명
접수/발송일자
처리상태
접수/발송번호
1
특허출원서 Patent Application
1996.12.09
수리 (Accepted)
1-1-1996-0210886-80
2
출원심사청구서 Request for Examination
1996.12.09
수리 (Accepted)
1-1-1996-0210888-71
3
대리인선임신고서 Notification of assignment of agent
1996.12.09
수리 (Accepted)
1-1-1996-0210887-25
4
출원인정보변경 (경정)신고서 Notification of change of applicant's information
1997.03.12
수리 (Accepted)
1-1-1996-0210889-16
5
등록사정서 Decision to grant
1999.02.19
발송처리완료 (Completion of Transmission)
9-5-1999-0047758-14
6
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2001.04.19
수리 (Accepted)
4-1-2001-0046046-20
7
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2002.08.08
수리 (Accepted)
4-1-2002-0065009-76
8
[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.11.06
수리 (Accepted)
1-1-2008-5055003-22
9
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2009.08.04
수리 (Accepted)
4-1-2009-5150899-36
10
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2015.02.02
수리 (Accepted)
4-1-2015-0006137-44
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번호
청구항
1
1
안티퓨즈 소자의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 제1산화막을 형성하는 단계; 상기 제1산화막 위에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극을 포함한 상기 제1산화막 위에 층간 절연막을 형성한 후, 상기 층간 절연막의 일부분을 식각하여 상기 하부 전극의 일부분이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 부분을 덮도록 비정질 실리콘-게르마늄층을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘-게르마늄층 위에 제2산화막을 형성하는 단계; 상기 제2산화막 위에 보론 나이트라이드층을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘-게르마늄층, 상기 제2산화막 및 상기 보론 나이트라이트층으로 적층된 구조 위에 상부 전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈 소자의 제조방법
2
2
제1항에 있어서, 상기 제1산화막은 열적 성장법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈 소자의 제조방법
3
3
제1항에 있어서, 상기 제1산화막은 화학기상증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈 소자의 제조방법
4
4
제1항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 각각은 알루미늄을 증착한 후, 광리소그래피와 식각 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈 소자의 제조방법
5
5
제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘-게르마늄층은 SiH4, 아르곤(argon), Si0
6
6
제5항에 있어서, 상기 비정질 실리콘-게르마늄층 형성공정시 산소, 수소, 질소, 플로린, 클로린중 적어도 하나를 첨가하는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈 소자의 제조방법
7
7
제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 열산화공정으로 20∼30Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 안티퓨즈 소자의 제조방법
8
8
제1항에 있어서, 상기 보론 나이트라이드층은 50∼200
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.
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