| 1 |
1
기판 상부에 식각정지층, 오믹층을 형성하는 단계;상기 오믹층 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 패터닝하여 게이트 패턴을 형성하는 단계;상기 게이트 패턴 상에 스페이서를 형성하는 단계;상기 식각 정지층 및 상기 오믹층을 식각하여 상기 식각정지층과 상기 오믹층 상에 게이트 리세스를 형성하는 단계;상기 절연막과 상기 형성된 리세스 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 상기 제1 금속층 상에 소정 패턴이 형성된 감광제층을 형성하는 단계; 상기 감광제층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계; 및상기 제2 금속층을 마스크로 이용하여 상기 제1 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 게이트 금속을 형성한 다음, 상기 제1 및 제2 금속층의 측벽에 측벽 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 질화막과 상기 제2 금속층 상에 오믹 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 오믹 금속층을 형성한 다음, 다층 배선 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 다층 배선 구조를 형성하는 단계는 상기 오믹 금속층 상에 제1 평탄화막을 증착하여 제1 비아홀을 형성하는 단계와, 상기 제1 비아홀을 통해 상기 오믹 금속층과 전기적으로 연결되도록 상기 제1 평탄화막 상에 배선 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 평탄화막과 상기 배선 전극 상에 제2 평탄화막을 증착하여 제2 비아홀을 형성하는 단계와,상기 제2 비아홀을 통해 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 제2 평탄화막 상에 범프를 제작하는 단계를 포함하는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 평탄화막은 폴리머 계열 절연막으로 형성되는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서, 상기 범프는 Au를 이용하는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 게이트 리세스를 형성하는 단계는 상기 절연막 상에 형성된 게이트 패턴을 이용하여, 습식 식각으로 상기 오믹층을 선택적으로 리세스하는 단계와, 상기 오믹층이 식각된 다음 건식 식각으로 상기 식각정지층을 리세스하는 단계를 포함하는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 기판 상부에 상기 오믹층이 형성되기 전에, 상기 기판상에는 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 도핑층, 쇼트키층, 식각정지층이 순차 적층되는 단계를 더 포함하는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 도핑층은 Si- 델타 도핑층인 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서, 상기 식각정지층은 상기 리세스 단계에서 상기 오믹층만을 선택적으로 식각하기 위해 형성되는 고주파 전자 소자의 제조방법
|
| 11 |
11
기판상에 형성되는 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성되는 채널층, 상기 채널층 상에 형성되는 스페이서층, 상기 스페이서층 상부에 형성되는 쇼트키층, 상기 쇼트키층 상부에 형성되는 오믹층을 포함하는 고주파 전자 소자에 있어서, 상기 스페이서층과 상기 쇼트키층 사이에 형성되는 도핑층과, 상기 쇼트키층과 상기 오믹층 사이에 형성되는 식각정지층과,상기 식각정지층 상에 형성되는 개구부 패턴을 갖는 질화막과,상기 질화막 상에 형성되는 다층 금속층으로 형성된 게이트 전극과,상기 게이트 전극 상에 형성되는 오믹 금속 층을 포함하는 고주파 전자 소자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 오믹 금속층 상에 형성되는 제1 평탄화막과, 상기 제1 평탄화막 상에 형성되어 상기 오믹 금속층과 전기적으로 접촉하는 배선전극과, 상기 배선전극 상에 형성되는 제2 평탄화막과, 상기 제2 평탄화막 상에 형성되어 상기 배선전극과 전기적으로 접촉하는 범프를 더 포함하는 고주파 전자 소자
|
