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반도체 광소자의 제작 방법
- 기술번호 : KST2015096904
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 가입자용이나 파장분할다중(WDM) 방식의 광통신 시스템에 사용되는 반도체 광소자의 제작 방법에 관한 것으로, 단일 활성층에 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier; SOA)가 집적된다. 레이저 다이오드와 반도체 광증폭기는 서로 광학적으로 연결되며, 이온 주입에 의해 전기적으로 절연된다. 각각의 전극을 통해 독립적으로 전류를 주입하면 레이저 다이오드(LD)에서 생성된 광이 반도체 광증폭기(SOA)에 의해 증폭되기 때문에 발진개시전류가 낮고 출력광의 세기가 높다. 반도체 광증폭기, 레이저 다이오드, 전류차단층, 전류주입층, 이온주입 |
|---|---|
| Int. CL | H01S 5/30 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020040103665 (2004.12.09) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0576776-0000 (2006.04.27) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20060508) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2004.12.09) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박문호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 박상기 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 3 | 오수환 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 백용순 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 5 | 오광룡 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 6 | 김경옥 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 7 | 김성복 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2004.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0580782-53 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2006.03.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2006.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0024706-30 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.04.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0236393-97 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 버퍼층, 활성층 및 보호층을 형성한 후 상기 보호층 상에 스트라이프 형태를 가지는 다수의 제 1 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 패턴을 마스크로 이용하여 상기 보호층, 활성층 및 버퍼층을 패터닝하는 단계, 상기 제 1 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 클래드층 및 오믹 접촉층을 형성하는 단계, 광증폭기 영역 및 레이저 다이오드 영역의 상기 오믹 접촉층 상에 각각 스트라이프 형태의 다수의 제 2 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 2 패턴을 마스크로 이용한 이온주입 공정으로 노출된 부분의 상기 오믹 접촉층과 상기 클래드층에 전류차단층을 형성하는 단계, 상기 제 2 패턴을 제거한 후 이온이 주입된 부분의 상기 오믹 접촉층을 제거하고, 이온이 주입되지 않은 부분의 상기 오믹 접촉층이 노출되도록 산화물 패턴을 형성하는 단계, 상기 광증폭기 영역과 상기 레이저 다이오드 영역의 노출된 상기 오믹 접촉층 상에 각각 제 1 금속전극을 형성하는 단계, 상기 기판의 저면에 제 2 금속전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 제 1 SCH층, 양자우물층 및 제 2 SCH층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 양자우물층은 InGaAsP 스트레인드 우물층들 사이에 언스트레인드 InGaAsP 베리어층이 삽입된 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 보호층은 p-InP층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 상기 광증폭기의 광출력면에 대하여 수직 또는 소정 각도의 기울기를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 소정 각도는 5 내지 10도인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패턴은 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 클래드층은 두께와 도핑 농도가 다른 다수의 p-InP층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 패턴은 감광막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 이온주입 공정시 상기 광증폭기 영역과 상기 레이저 다이오드 영역 경계부의 상기 오믹 접촉층과 상기 클래드층에 전류차단층이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속전극을 형성하기 전에 상기 기판의 저면을 소정 두께 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속전극을 형성한 후 상기 광증폭기의 광출력면에 무반사막을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 13 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속전극을 형성한 후 상기 광증폭기의 광출력면에 무반사막을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제작 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07378292 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20060189016 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2006189016 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US7378292 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0576776-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20041209 출원 번호 : 1020040103665 공고 연월일 : 20060508 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060426 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 반도체 광소자의 제작 방법 존속기간(예정)만료일 : 20120428 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 364,500 원 | 2006년 04월 28일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2009년 04월 02일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2010년 04월 01일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2011년 04월 11일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2004.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0580782-53 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2006.03.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2006.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0024706-30 |
| 4 | 등록결정서 | 2006.04.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0236393-97 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1440000111 |
|---|---|
| 세부과제번호 | iitaA1-03-0053-00 |
| 연구과제명 | 광엑세스용광집적모듈 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2003 |
| 연구기간 | 200302~200601 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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