요약 | 반도체 전극에 전자 재결합 차단층이 포함되어 있는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 반도체 전극은 제1 전도성 기판과, 제1 전도성 기판의 표면이 전해질층에 노출되지 않도록 제1 전도성 기판을 완전히 덮고 있는 전자 재결합 차단층과, 전자 재결합 차단층 위에 형성되어 있는 다공성 금속 산화물 반도체층과, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 흡착되어 있는 염료분자층을 포함한다. 전자 재결합 차단층이 포함되어 있는 반도체 전극을 형성하기 위하여, 제1 전도성 기판 위에 금속층을 형성한다. 금속층을 산화시켜 금속 산화막을 형성한다. 금속 산화막 위에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성한다. 다공성 금속 산화물층의 표면에 염료분자층을 형성한다. 염료감응 태양전지, 반도체 전극, 전자 재결합 차단층, 금속 산화막 |
---|---|
Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) |
CPC | H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070084469 (2007.08.22) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0908243-0000 (2009.07.10) |
공개번호/일자 | 10-2009-0020058 (2009.02.26) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20090720) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.08.22) |
심사청구항수 | 12 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 전용석 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 윤호경 | 대한민국 | 서울 마포구 |
3 | 강만구 | 대한민국 | 대전 유성구 |
4 | 김종대 | 대한민국 | 대전 유성구 |
5 | 이승엽 | 대한민국 | 경북 경산시 |
6 | 박종혁 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.08.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0607704-94 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.06.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0041473-10 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.12.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0623451-94 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0081152-77 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.02.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0081153-12 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.06.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0268428-05 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 반도체 전극과, 상대 전극과, 상기 반도체 전극과 상대 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하고, 상기 반도체 전극은 제1 전도성 기판과, 상기 전해질층과 상기 제1 전도성 기판과의 사이에서 상기 제1 전도성 기판의 표면이 상기 전해질층에 노출되지 않도록 상기 제1 전도성 기판을 완전히 덮고 있는 금속 산화물로 이루어지는 전자 재결합 차단층과, 상기 금속 산화물과 접촉하도록 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성되어 있는 다공성 금속 산화물 반도체층과, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면과 상기 전자 재결합 차단층의 표면에 각각 흡착되어 있는 염료분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
2 |
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3 |
3 제1항에 있어서, 상기 전자 재결합 차단층은 Ti 산화물, Zn 산화물, Cr 산화물, W 산화물, 또는 Nb 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 전자 재결합 차단층은 5 Å ∼ 1000 nm의 두께를 가지는 것를 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 다공성 금속 산화물 반도체층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 또는 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
6 |
6 제1항에 있어서, 상기 제1 전도성 기판은 도전층이 코팅된 투명 기판, 도전성 고분자, 또는 금속 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
7 |
7 제1항에 있어서, 상기 상대 전극은 제2 전도성 기판과, 상기 제2 전도성 기판 위에 형성된 제1 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 제2 전도성 기판은 제2 도전층이 코팅된 투명 기판, 도전성 고분자, 또는 금속 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
9 |
9 제7항에 있어서, 상기 제1 도전층은 Pt 또는 탄소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
10 |
10 제1항에 있어서, 상기 전해질층은 요오드계 산화-환원 액체 전해질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 |
11 |
11 제1 전도성 기판 위에 상기 제1 전도성 기판의 상면을 완전히 덮는 금속 산화물로 이루어지는 전자 재결합 차단층을 형성하는 단계와, 상기 금속 산화물과 접촉하는 다공성 금속 산화물 반도체층을 상기 전자 재결합 차단층 위에 형성하는 단계와, 상기 다공성 금속 산화물층의 표면과 상기 전자 재결합 차단층의 표면에 각각 염료분자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법 |
12 |
12 제11항에 있어서, 상기 전자 재결합 차단층은 Ti 산화물, Zn 산화물, Cr 산화물, W 산화물, 또는 Nb 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법 |
13 |
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20 |
20 제11항에 있어서, 제2 전도성 기판 위에 도전층을 형성하여 상대 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 전도성 기판상의 상기 염료 분자층과 상기 제2 전도성 기판상의 도전층이 상호 대향하도록 상기 제1 전도성 기판 및 제2 전도성 기판을 정렬하는 단계와, 상기 제1 전도성 기판과 상기 제2 전도성 기판상과의 사이에 액체 전해질을 주입하여 전해질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 정보통신부 | 한국전자통신연구원 | IT신성장동력핵심기술개발사업 | 유비쿼터스 단말용 부품 모듈 |
특허 등록번호 | 10-0908243-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20070822 출원 번호 : 1020070084469 공고 연월일 : 20090720 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090625 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 전자 재결합 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20120711 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2009년 07월 13일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.08.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0607704-94 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.06.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2008.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0041473-10 |
4 | 의견제출통지서 | 2008.12.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0623451-94 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0081152-77 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.02.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0081153-12 |
7 | 등록결정서 | 2009.06.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0268428-05 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1445006473 |
---|---|
세부과제번호 | 2006-S-006-02 |
연구과제명 | 유비쿼터스단말용부품/모듈 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200703~200802 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415100592 |
---|---|
세부과제번호 | KI001602 |
연구과제명 | 유비쿼터스단말용부품/모듈 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201002 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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