맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화막과폴리이미드를이용한반도체제조방법

  • 기술번호 : KST2015098744
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용없음
Int. CL H01L 23/50 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1019890011893 (1989.08.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0051922-0000 (1992.06.03)
공개번호/일자 10-1991-0005435 (1991.03.30) 문서열기
공고번호/일자 1019920001912 (19920306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.08.21)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이진희 대한민국 충청남도대전시대덕구
2 심규환 대한민국 대전시서구
3 최영규 대한민국 대전시유성구
4 강진영 대한민국 대전시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1989.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1989-0069822-62
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1989-0069824-53
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1989-0069823-18
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0036820-02
5 등록사정서
Decision to grant		 1992.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0036822-93
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

금속층 접속공을 다층 금속층 사이에 평탄하게 형성하기 위한 반도체 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 형성된 제1금속층위에 1차 산화막과 1차 폴리이미드층을 중착 및 도포하는 단계와, 1차 산화막과 1차 폴리이미드층에 금속층 접속공의 부분이 공간 상태가 되도록 형성하는 단계와, 제1금속층과 1차 폴리이미드층에 금속층을 증착하는 단계와, 1차 금속층과 금속층의 상면에 2차 산화막과 2차 폴리이미드층을 증착 및 도포하는 단계와, 금속층 접속공의 금속층까지 에치백하는 단계들에 의하여 금속층 접속공에 금속층이 매립되도록 하고 제2금속층을 형성하도록 한 산화막과 폴리이미드를 이용한 반도체 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.