맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

화합물 반도체 소자의 티형 게이트 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015098960
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화합물 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법을 제공한다. 본 발명은 화합물 반도체 기판 상에 절연막을 형성한 후, 상기 절연막 상에, 전자빔에 대해서는 양성 특성을 갖고 광에 대해서는 음성 특성을 갖는 레지스트막을 형성한다. 상기 레지스트막을, 광 보다는 정밀한 해상도를 얻을 수 있는 전자빔을 이용하여 1차로 노광 및 현상하여 레지스트막 패턴을 형성한다. 상기 레지스트막 패턴이 형성된 화합물 반도체 기판을 상기 레지스트막 패턴 내에 존재하는 노광원의 반응 물질이 열에 의해 치명적으로 파괴되지 않도록 열처리한다. 다음에, 상기 레지스트막 패턴을 마스크로 상기 절연막을 식각하여 상기 화합물 반도체 기판을 노출하는 제1 개구부를 형성한다. 상기 레지스트막 패턴을 광을 이용하여 2차로 노광 및 현상하여 상기 제1 개구부보다 큰 제2 개구부를 형성한다. 상기 제1 개구부를 매립하면서, 상기 제2 개구부 내부의 상기 절연막 및 상기 레지스트막 패턴 상에 금속층을 형성한다. 상기 레지스트막 패턴을 리프트 오프 방법으로 제거함으로써 상기 제1 개구부에 다리 형상과 상기 절연막 상에 몸통 형상을 갖는 티형 게이트를 형성한다. 화합물 반도체 소자, 티형 게이트
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01)
출원번호/일자 1020030057274 (2003.08.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0564746-0000 (2006.03.21)
공개번호/일자 10-2005-0019477 (2005.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20060327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.08.19)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박종문 대한민국 대전광역시유성구
2 박건식 대한민국 대전광역시서구
3 유성욱 대한민국 대구광역시수성구
4 윤용선 대한민국 대전광역시유성구
5 김상기 대한민국 대전광역시유성구
6 김보우 대한민국 대전광역시유성구
7 구진근 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2003-0305070-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0015937-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0128850-61
5 의견서
Written Opinion		 2005.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0267020-17
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0267021-63
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0457629-15
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0659316-65
9 의견서
Written Opinion		 2005.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0659315-19
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0091155-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화합물 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에, 전자빔에 대해서는 양성(positive type) 특성을 갖고 광에 대해서는 음성(negative type) 특성을 갖는 레지스트막을 형성하는 단계;상기 레지스트막을, 광 보다는 정밀한 해상도를 얻을 수 있는 전자빔을 이용하여 1차로 노광 및 현상하여 레지스트막 패턴을 형성하는 단계;상기 레지스트막 패턴이 형성된 화합물 반도체 기판을 상기 레지스트막 패턴 내에 존재하는 노광원의 반응 물질이 열에 의해 치명적으로 파괴되지 않도록 열처리하는 단계;상기 레지스트막 패턴을 마스크로 상기 절연막을 식각하여 상기 화합물 반도체 기판을 노출하는 제1 개구부를 형성하는 단계;상기 레지스트막 패턴을 광을 이용하여 2차로 노광 및 현상하여 상기 제1 개구부보다 큰 제2 개구부를 형성하는 단계;상기 제1 개구부를 매립하면서, 상기 제2 개구부 내부의 상기 절연막 및 상기 레지스트막 패턴 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 레지스트막 패턴을 리프트 오프 방법으로 제거함으로써 상기 제1 개구부에 다리 형상과 상기 절연막 상에 몸통 형상을 갖는 티형 게이트를 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 열처리는 90 내지 110도의 열판에서 30 내지 90초 수행하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.